时间：2025/6/21 0:44:24
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IPB09N03LAG是一款由Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用TOLL封装，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于各种开关模式电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用场合。
这款MOSFET采用了先进的制程技术，能够提供卓越的性能和可靠性。它支持高达30V的工作电压，并且具有较低的导通电阻（Rds(on)），能够在高频开关条件下实现高效的功率传输。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：9A
导通电阻（Rds(on)）：1.4mΩ
栅极电荷：27nC
开关速度：快速
封装类型：TOLL
工作温度范围：-55℃至175℃
IPB09N03LAG具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高效的热性能，确保在高功率应用中保持稳定运行。
3. 支持宽广的工作温度范围，适应多种恶劣环境下的使用需求。
4. 快速开关能力，适合高频应用场合。
5. 内置ESD保护，增强了器件的可靠性和耐用性。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
IPB09N03LAG适用于广泛的电子电路应用领域，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动控制
4. 电池管理系统（BMS）
5. 工业自动化设备
6. 汽车电子系统中的负载切换
其出色的电气特性和紧凑的封装形式使其成为现代高效功率管理的理想选择。
IPA09N03LAFQ, IPB14N03LSCAS
