时间：2025/4/30 9:11:13
阅读：2
IPB083N10N3G 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沣道 Mosfet。该器件采用了 TRENCHSTOP? 技术，具有较低的导通电阻和较高的开关效率，适用于多种功率转换应用。其封装形式为 TO-252 (DPAK)，能够满足高密度电路板设计需求。
该 MOSFET 的最大漏源电压为 100V，持续漏极电流为 8.3A，非常适合用于 DC-DC 转换器、电机驱动、开关电源以及其他需要高频开关的应用场景。
最大漏源电压：100V
最大漏极电流：8.3A
导通电阻（典型值）：9.5mΩ
栅极电荷（典型值）：12nC
输入电容（典型值）：465pF
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-252 (DPAK)
IPB083N10N3G 具有以下显著特性：
1. 低导通电阻：其典型导通电阻仅为 9.5mΩ，这有助于减少传导损耗并提高系统的整体效率。
2. 快速开关性能：通过优化的 TRENCHSTOP? 技术，该器件能够实现更快的开关速度，同时保持较低的开关损耗。
3. 高雪崩能力：具备强大的雪崩能量吸收能力，增强了器件在异常情况下的可靠性。
4. 热稳定性：能够在 -55°C 至 +175°C 的宽温度范围内可靠运行，适合工业及汽车级应用。
5. 小型化封装：采用 DPAK 封装，节省了 PCB 布局空间，便于紧凑型设计。
6. 符合 RoHS 标准：环保且符合国际法规要求。
IPB083N10N3G 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS)：如适配器、充电器等。
2. DC-DC 转换器：在通信设备和工业控制中提供高效的电压转换。
3. 电机驱动：用于家用电器、电动工具和其他小型电机的驱动控制。
4. 电池管理系统 (BMS)：适用于电动车、储能系统中的充放电管理。
5. 工业自动化：用作功率开关或负载切换元件。
6. 汽车电子：如车身控制模块、照明系统等对可靠性要求较高的场合。
IPW083N10N3G, IPP083N10N3G
