时间：2025/5/8 14:41:21
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IPB057N06N是一款由英飞凌（Infineon）生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽式技术制造，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于多种电源管理应用。其额定电压为60V，广泛应用于消费电子、工业控制及汽车电子领域。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：48A
导通电阻：1.2mΩ
栅极电荷：39nC
开关速度：非常快
封装形式：TO-247
IPB057N06N具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，能够有效减少功率损耗。
2. 快速开关性能，适合高频工作环境。
3. 高雪崩能量能力，增强器件的鲁棒性。
4. 良好的热稳定性和电气稳定性。
5. 符合RoHS标准，环保设计。
6. 支持大电流操作，满足高性能需求。
该器件适用于多种电力转换和控制场景，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC/DC转换器
3. 电机驱动
4. 电池管理系统
5. 工业自动化设备中的功率控制
6. 汽车电子中的负载切换和保护电路
IPP050N06S, IRFZ44N, FDP057AN
