时间：2025/8/20 20:50:41
阅读：4
IPB04N03LB是一款由英飞凌（Infineon）公司生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效能功率转换应用而设计。该器件采用先进的技术，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于各种功率电子设备，如电源管理模块、DC-DC转换器、负载开关以及电池管理系统等。IPB04N03LB的封装形式为PG-TSDSO-8，符合RoHS环保标准，并具备良好的可靠性和耐用性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：11A
导通电阻（RDS(on)）：最大4.0mΩ @ VGS = 10V
功率耗散（PD）：36W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：PG-TSDSO-8
IPB04N03LB具有多项优异特性，首先其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件在高电流条件下仍能保持稳定运行，连续漏极电流可达11A，适用于要求高电流能力的应用场景。此外，IPB04N03LB具备快速开关特性，能够有效减少开关损耗，适用于高频开关电源设计。该MOSFET采用先进的Trench沟槽技术，进一步优化了性能并提高了热管理能力。内置的体二极管提供了良好的反向恢复特性，增强了在感性负载应用中的稳定性。PG-TSDSO-8封装不仅节省空间，还具备良好的散热性能，有助于提升整体系统的可靠性。此外，该器件符合AEC-Q100汽车级标准，适合用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统和车身控制模块等。
IPB04N03LB的栅极驱动电压范围宽泛，支持标准逻辑电平控制，简化了驱动电路设计。其高雪崩能量承受能力和过热保护特性使其在恶劣环境下仍能保持稳定运行，增强了系统的安全性。
IPB04N03LB广泛应用于多种功率电子系统中，包括但不限于DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电动工具、工业自动化设备以及汽车电子模块等。由于其具备高电流能力和低导通电阻，该器件特别适用于需要高效能功率转换和紧凑设计的场合。在汽车领域，IPB04N03LB可用于车载充电器、电机控制模块和车身电子系统，提供稳定可靠的功率开关功能。
IPB08N03LG、IPB04N03LA、IPB04N04LA、Si4410BDY、FDMS86101
