IPB048N15N5 时间：2025/6/3 21:00:48 阅读：20

IPB048N15N5是一款由Infineon（英飞凌）生产的MOSFET功率晶体管，采用TO-264-3封装形式。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于高效能的电力电子转换应用，如DC-DC转换器、电机驱动以及开关电源等场景。
　　这款MOSFET基于先进的沟槽式技术制造，能够在高频工作条件下提供出色的效率表现，同时具备较强的耐用性和可靠性。

参数

最大漏源电压：150V
　　连续漏极电流：4.8A
　　导通电阻（典型值）：170mΩ
　　栅极电荷（典型值）：9nC
　　总功耗：17W
　　工作结温范围：-55℃ to 175℃

特性

IPB048N15N5的主要特性包括：
　　1. 超低导通电阻设计，能够有效降低传导损耗。
　　2. 高效的开关性能，得益于其较小的栅极电荷和输出电荷。
　　3. 优秀的热稳定性，允许在较宽温度范围内稳定运行。
　　4. 内置防静电保护功能，增强了器件的鲁棒性。
　　5. 符合RoHS标准，环境友好。
　　6. TO-264-3封装形式便于安装且散热性能良好。

应用

该MOSFET适用于以下领域：
　　1. 开关模式电源（SMPS），如适配器和充电器。
　　2. DC-DC转换器中的同步整流。
　　3. 各类电机驱动电路，例如步进电机或无刷直流电机。
　　4. 电池管理系统的充放电控制。
　　5. 工业自动化设备中的负载切换控制。
　　6. 光伏逆变器和其他可再生能源系统中的功率调节模块。