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IPB048N15N5 发布时间 时间:2025/6/3 21:00:48 查看 阅读:3

IPB048N15N5是一款由Infineon(英飞凌)生产的MOSFET功率晶体管,采用TO-264-3封装形式。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合用于高效能的电力电子转换应用,如DC-DC转换器、电机驱动以及开关电源等场景。
  这款MOSFET基于先进的沟槽式技术制造,能够在高频工作条件下提供出色的效率表现,同时具备较强的耐用性和可靠性。

参数

最大漏源电压:150V
  连续漏极电流:4.8A
  导通电阻(典型值):170mΩ
  栅极电荷(典型值):9nC
  总功耗:17W
  工作结温范围:-55℃ to 175℃

特性

IPB048N15N5的主要特性包括:
  1. 超低导通电阻设计,能够有效降低传导损耗。
  2. 高效的开关性能,得益于其较小的栅极电荷和输出电荷。
  3. 优秀的热稳定性,允许在较宽温度范围内稳定运行。
  4. 内置防静电保护功能,增强了器件的鲁棒性。
  5. 符合RoHS标准,环境友好。
  6. TO-264-3封装形式便于安装且散热性能良好。

应用

该MOSFET适用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS),如适配器和充电器。
  2. DC-DC转换器中的同步整流。
  3. 各类电机驱动电路,例如步进电机或无刷直流电机。
  4. 电池管理系统的充放电控制。
  5. 工业自动化设备中的负载切换控制。
  6. 光伏逆变器和其他可再生能源系统中的功率调节模块。

替代型号

IPW150N10N3_G, IPP050N15N3_G, IXTK20N150P

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