IPB048N15N5是一款由Infineon(英飞凌)生产的MOSFET功率晶体管,采用TO-264-3封装形式。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合用于高效能的电力电子转换应用,如DC-DC转换器、电机驱动以及开关电源等场景。
这款MOSFET基于先进的沟槽式技术制造,能够在高频工作条件下提供出色的效率表现,同时具备较强的耐用性和可靠性。
最大漏源电压:150V
连续漏极电流:4.8A
导通电阻(典型值):170mΩ
栅极电荷(典型值):9nC
总功耗:17W
工作结温范围:-55℃ to 175℃
IPB048N15N5的主要特性包括:
1. 超低导通电阻设计,能够有效降低传导损耗。
2. 高效的开关性能,得益于其较小的栅极电荷和输出电荷。
3. 优秀的热稳定性,允许在较宽温度范围内稳定运行。
4. 内置防静电保护功能,增强了器件的鲁棒性。
5. 符合RoHS标准,环境友好。
6. TO-264-3封装形式便于安装且散热性能良好。
该MOSFET适用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS),如适配器和充电器。
2. DC-DC转换器中的同步整流。
3. 各类电机驱动电路,例如步进电机或无刷直流电机。
4. 电池管理系统的充放电控制。
5. 工业自动化设备中的负载切换控制。
6. 光伏逆变器和其他可再生能源系统中的功率调节模块。
IPW150N10N3_G, IPP050N15N3_G, IXTK20N150P