IPB042N10N3GATMA1 是一款由 Infineon(英飞凌)生产的 N 沣 道 Mosfet。该器件采用 TO-252 (DPAK) 封装,具有较低的导通电阻和快速开关特性,适用于多种功率转换应用。
这款 MOSFET 的设计主要针对高效能、低功耗的应用场景,能够提供卓越的性能表现。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:4.2A
导通电阻:150mΩ
栅极电荷:7nC
总电容:135pF
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
IPB042N10N3GATMA1 具有以下显著特性:
1. 超低导通电阻,有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 快速开关能力,适合高频应用。
3. 较小的封装尺寸,便于电路板布局优化。
4. 优秀的热稳定性和可靠性,能够在宽温范围内稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准,环保且无铅。
该型号的 MOSFET 广泛应用于各类电力电子设备中,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS)
2. DC/DC 转换器
3. LED 驱动器
4. 电池管理系统(BMS)
5. 工业自动化控制中的电机驱动
6. 消费类电子产品中的负载开关
IPD060N10N3GATMA1, IRF540NPBF