时间：2025/5/30 15:45:42
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IPB042N10N3GATMA1 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沣 道 Mosfet。该器件采用 TO-252 (DPAK) 封装，具有较低的导通电阻和快速开关特性，适用于多种功率转换应用。
这款 MOSFET 的设计主要针对高效能、低功耗的应用场景，能够提供卓越的性能表现。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：4.2A
导通电阻：150mΩ
栅极电荷：7nC
总电容：135pF
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
IPB042N10N3GATMA1 具有以下显著特性：
1. 超低导通电阻，有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 快速开关能力，适合高频应用。
3. 较小的封装尺寸，便于电路板布局优化。
4. 优秀的热稳定性和可靠性，能够在宽温范围内稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。
该型号的 MOSFET 广泛应用于各类电力电子设备中，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC/DC 转换器
3. LED 驱动器
4. 电池管理系统（BMS）
5. 工业自动化控制中的电机驱动
6. 消费类电子产品中的负载开关
IPD060N10N3GATMA1, IRF540NPBF
