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IPB042N10N3GATMA1 发布时间 时间:2025/5/30 15:45:42 查看 阅读:5

IPB042N10N3GATMA1 是一款由 Infineon(英飞凌)生产的 N 沣 道 Mosfet。该器件采用 TO-252 (DPAK) 封装,具有较低的导通电阻和快速开关特性,适用于多种功率转换应用。
  这款 MOSFET 的设计主要针对高效能、低功耗的应用场景,能够提供卓越的性能表现。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:4.2A
  导通电阻:150mΩ
  栅极电荷:7nC
  总电容:135pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

IPB042N10N3GATMA1 具有以下显著特性:
  1. 超低导通电阻,有助于减少传导损耗并提高效率。
  2. 快速开关能力,适合高频应用。
  3. 较小的封装尺寸,便于电路板布局优化。
  4. 优秀的热稳定性和可靠性,能够在宽温范围内稳定运行。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且无铅。

应用

该型号的 MOSFET 广泛应用于各类电力电子设备中,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. DC/DC 转换器
  3. LED 驱动器
  4. 电池管理系统(BMS)
  5. 工业自动化控制中的电机驱动
  6. 消费类电子产品中的负载开关

替代型号

IPD060N10N3GATMA1, IRF540NPBF

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IPB042N10N3GATMA1参数

  • 现有数量2,342现货
  • 价格1 : ¥24.33000剪切带(CT)1,000 : ¥11.94274卷带(TR)
  • 系列OptiMOS?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)100A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)6V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)4.2 毫欧 @ 50A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.5V @ 150μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)117 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)8410 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)214W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PG-TO263-3
  • 封装/外壳TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB