IPB042N10N3G 时间：2025/12/24 4:33:24 阅读：17

IPB042N10N3G是英飞凌（Infineon）推出的一款N沟道增强型MOSFET功率晶体管。该器件采用TO-252封装形式，适合用于需要高效开关性能和低导通损耗的应用场景。其典型应用包括直流-直流转换器、开关电源、电机驱动以及电池保护电路等。IPB042N10N3G具有低导通电阻和快速开关特性，能够显著提高系统效率并降低功耗。

参数

最大漏源电压：100V
　　最大连续漏极电流：4.1A
　　导通电阻（Rds(on)）：80mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
　　栅极电荷：9nC
　　输入电容：550pF
　　总功耗：1.2W
　　工作温度范围：-55℃至+150℃

特性

IPB042N10N3G具备以下突出特点：
　　1. 极低的导通电阻，能够在高电流条件下减少导通损耗。
　　2. 快速开关能力，适用于高频开关应用。
　　3. 高击穿电压，确保在较高电压环境下稳定运行。
　　4. 小型化封装设计，节省PCB空间。
　　5. 符合RoHS标准，环保且安全可靠。
　　6. 具有出色的热稳定性和电气性能。

应用

IPB042N10N3G广泛应用于以下领域：
　　1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流电路。
　　2. 便携式设备的负载开关控制。
　　3. 电池管理系统中的充放电控制。
　　4. 小功率电机驱动和逆变器。
　　5. 各类消费电子产品的电源管理模块。
　　6. 工业控制中的信号切换与驱动电路。