时间：2025/5/23 0:18:48
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IPB040N08NF2S 是一款由英飞凌（Infineon）生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用 TRENCHSTOP? 技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于高频开关应用。其封装形式为 TO-263-3（DPAK），能够有效提高散热性能。
该功率 MOSFET 广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及各种需要高效能功率开关的场合。
最大漏源电压：80V
连续漏极电流：4A
导通电阻：5.5mΩ（典型值，Vgs=10V时）
栅极电荷：9nC（典型值）
输入电容：440pF（典型值）
工作结温范围：-55℃至+175℃
总功耗：2.7W
IPB040N08NF2S 具有出色的电气性能和可靠性。它采用了先进的沟槽式结构设计，从而显著降低了导通电阻，并提高了效率。
此外，该器件还具备以下特点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 确保了较低的传导损耗。
2. 快速开关能力使其非常适合高频操作环境。
3. 强大的雪崩能力和 ESD 保护功能增强了其在恶劣条件下的耐用性。
4. 小型化封装有助于节省 PCB 空间，同时提供良好的热管理能力。
总之，这款功率 MOSFET 在性能与成本之间取得了良好的平衡，适用于广泛的工业及消费类电子产品中。
IPB040N08NF2S 主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC 转换器，包括降压、升压和反激拓扑。
3. 电池管理系统中的负载开关。
4. 电机驱动电路，例如步进电机或无刷直流电机控制。
5. 各种工业自动化设备中的功率转换模块。
由于其高效的功率处理能力和紧凑的设计中不可或缺的一部分。
IPD040N08N_G, IRFZ44N, FDP040AN
