时间：2025/7/16 12:43:35
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IPB038N12N3G 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沃特 (N-Channel) 功率 MOSFET。该器件采用先进的沟槽式技术制造，具有低导通电阻和快速开关特性，适合于高效率的功率转换应用。它广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等领域。
IPB038N12N3G 的额定电压为 120V，能够提供较高的耐用性和可靠性，同时其封装形式为 TO-Leadless（D2PAK），有助于提高散热性能和节省 PCB 空间。
最大漏源电压：120V
连续漏极电流：38A
导通电阻（典型值）：4.5mΩ
栅极电荷（典型值）：67nC
输入电容（典型值）：2940pF
反向恢复时间：38ns
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-Leadless（D2PAK）
IPB038N12N3G 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（RDS(on)），有助于减少导通损耗，提升整体效率。
2. 快速开关速度，能够显著降低开关损耗，适用于高频开关应用。
3. 较小的栅极电荷和输出电荷，简化了驱动电路设计并降低了驱动功耗。
4. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且支持无铅焊接工艺。
6. 优化的热性能，适合紧凑型设计需求。
IPB038N12N3G 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 工业电机控制与驱动系统。
3. 太阳能逆变器及储能系统中的功率转换模块。
4. 电动汽车充电设备和车载充电器。
5. 各类负载开关和保护电路。
6. LED 驱动器和其他高效节能型电子设备。
IPP038N12N3G, IRF8725, FDP038N12
