时间：2025/5/27 16:26:37
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IPB037N06N3G是一款由Infineon（英飞凌）生产的MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）。该器件属于P沟道增强型MOSFET，广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。其设计特点包括低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能。
型号：IPB037N06N3G
类型：P沟道MOSFET
制造商：Infineon Technologies
Vds（漏源极击穿电压）：60V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：37mΩ
Id（连续漏极电流）：-42A
Ptot（总功耗）：190W
封装：TO-247-3
工作温度范围：-55℃至+150℃
IPB037N06N3G具有非常低的导通电阻，仅为37mΩ（典型值），这有助于降低功率损耗并提高效率。
该器件支持高达-42A的连续漏极电流，使其适用于大电流应用。
它采用TO-247-3封装，这种封装形式能够有效提升散热性能，同时便于安装和维护。
其额定漏源极击穿电压为60V，可满足多种低压系统的需求。
由于采用了先进的制造工艺，该器件具备快速开关能力，从而减少了开关损耗。
此外，其工作温度范围从-55℃到+150℃，适应性强，能够在恶劣环境下稳定运行。
IPB037N06N3G适用于各种需要高效功率转换和控制的应用场景，例如：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动和控制
4. 工业自动化设备
5. 电池管理系统（BMS）
6. 电信电源
7. 照明控制系统
这款MOSFET凭借其出色的电气特性和可靠性，在这些领域中表现出色。
IPP037N06N3G
