IPB026N10NF2S是一款由Infineon(英飞凌)生产的MOSFET功率晶体管,采用PDFN3333-8封装形式。该器件属于OptiMOS系列,具有低导通电阻和高效率的特点,适合用于要求高效能、小尺寸的应用场景。其典型应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动等电力电子领域。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:2.9A
导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ
栅极电荷:15nC
总热阻(结到环境):117°C/W
工作结温范围:-55°C至175°C
IPB026N10NF2S具备非常低的导通电阻,有助于降低传导损耗并提升整体效率。
该产品使用了先进的沟槽技术制造,确保了出色的开关性能和较低的栅极电荷。
由于采用了PDFN3333-8小型封装,使得此器件非常适合空间受限的设计。
此外,它还拥有较高的雪崩耐量能力,增强了器件在异常情况下的可靠性。
其宽广的工作温度范围能够适应各种严苛的环境条件。
这款MOSFET广泛应用于消费类电子产品、工业设备及汽车电子等领域。
在消费电子中,可用于笔记本电脑适配器、USB-PD充电器等。
工业应用方面,适合于太阳能微型逆变器、电信电源等需要高效能量转换的地方。
在汽车电子中,可以作为车身控制模块、LED照明驱动电路中的关键元件。
IPB032N10N3G, IPD026N10N3L