时间：2025/4/29 16:36:57
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IPB020N10N5LF是英飞凌（Infineon）推出的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用TO-263封装，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他功率控制电路中。它具有低导通电阻和快速开关特性，能够在高频工作条件下保持高效能表现。
IPB020N10N5LF的设计目标是在中等电压应用中提供高效率和可靠性，同时具备良好的热性能以支持更高的功率密度。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：20A
导通电阻：9mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：47nC（典型值）
输入电容：1350pF（典型值）
开关时间：ton=35ns，toff=28ns（典型值）
功耗：18W（在θJA=60°C/W时）
工作结温范围：-55°C至+175°C
IPB020N10N5LF采用了CoolMOS技术，这使得其具备以下主要特点：
1. 极低的导通电阻，有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关能力，适合高频应用场合。
3. 优化的栅极电荷设计，降低了驱动损耗。
4. 强大的雪崩能力和鲁棒性，提升了在异常情况下的保护能力。
5. TO-263封装形式，便于安装与散热管理。
6. 工作温度范围宽广，适应各种恶劣环境条件。
7. 符合RoHS标准，环保且无铅。
该MOSFET适用于多种电力电子应用场景：
1. 开关电源中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器的功率级开关。
3. 电机驱动电路中的功率输出级。
4. 太阳能逆变器及电池管理系统中的功率开关。
5. 各类工业自动化设备中的负载切换与控制。
由于其优秀的电气特性和可靠性，IPB020N10N5LF成为许多中高压功率转换解决方案的理想选择。
IPD020N10N5LF, IPP020N10N5LF
