IPB020N08N5 时间：2025/5/19 9:11:10 阅读：6

IPB020N08N5 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种功率转换和开关应用。其额定电压为 80V，广泛用于电机驱动、DC-DC 转换器、开关电源等领域。
　　该芯片的主要特点是优化了栅极电荷，从而提高了效率并降低了功耗。同时，它的漏源极击穿电压。

参数

最大漏源电压：80V
　　连续漏电流：20A
　　导通电阻：7.5mΩ
　　栅极电荷：35nC
　　总栅极电荷：49nC
　　输入电容：1730pF
　　反向传输电容：250pF
　　工作结温范围：-55℃ 至 +150℃

特性

1. 低导通电阻，有助于降低传导损耗，提高系统效率。
　　2. 高开关速度，能够适应高频开关应用场景。
　　3. 较低的栅极电荷和输出电荷，进一步优化了动态性能。
　　4. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
　　5. 强大的雪崩能力，提高了器件的可靠性和抗浪涌能力。
　　6. 小封装设计，适合空间受限的应用场景。

应用

1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
　　2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
　　3. 工业自动化设备中的功率控制。
　　4. LED 照明驱动电路。
　　5. 电池管理系统 (BMS) 中的保护电路。
　　6. 汽车电子中的负载切换和电机控制。
　　7. 各种高频功率变换模块。