IPB019N06L 时间：2025/12/24 0:54:06 阅读：15

IPB019N06L 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，由 Infineon Technologies 生产。该器件采用 TO-252 (DPAK) 封装形式，适用于各种高效能开关应用。其设计特点在于低导通电阻和快速开关特性，非常适合用于电源管理、电机驱动、负载开关等场景。
　　这款功率 MOSFET 的额定电压为 60V，具有出色的效率表现和散热性能，能够显著降低系统能耗。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：11A
　　导通电阻：18mΩ
　　栅极电荷：32nC
　　开关时间：ton=24ns, toff=17ns
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃

特性

IPB019N06L 具有以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗，提高系统效率。
　　2. 快速的开关速度，适合高频应用。
　　3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的可靠性。
　　4. 内置反向二极管，支持续流功能，简化电路设计。
　　5. 符合 RoHS 标准，环保无铅封装。
　　6. 良好的热稳定性和电气稳定性，适用于苛刻的工作环境。

应用

IPB019N06L 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
　　2. 电机驱动和控制电路中的电子开关。
　　3. 各种负载开关应用，如 USB 充电器和适配器。
　　4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
　　5. LED 照明系统的驱动电路。
　　6. 汽车电子中需要高可靠性和高效能的场合。