时间：2025/12/23 16:15:19
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IPB015N08N5 是一款 N 沟道功率 MOSFET，采用先进的半导体工艺制造。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种电力电子应用领域。它主要针对需要高效能和低损耗的电路设计，能够承受较高的电压和电流负载。这款 MOSFET 常用于 DC-DC 转换器、电机驱动、电源管理以及电池保护等场景。
IPB015N08N5 的封装形式通常为 TO-220 或类似的功率封装，便于散热管理和焊接安装。其典型工作电压范围为 20V 至 100V，并且具备较低的栅极电荷，有助于减少开关损耗。
型号：IPB015N08N5
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压(V_DSS)：80V
连续漏极电流(I_D)：15A
脉冲漏极电流(I_P)：50A
导通电阻(R_DS(on))：6.5mΩ (在 V_GS=10V 时)
栅极电荷(Q_g)：19nC
输入电容(Ciss)：1740pF
总功耗(P_TOT)：130W
工作结温范围(T_j)：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-220
IPB015N08N5 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻 (R_DS(on)) 确保了低传导损耗，适合高效率应用。
2. 快速开关性能得益于小的栅极电荷 (Q_g)，减少了动态损耗。
3. 高电流承载能力 (I_D = 15A) 和耐压能力 (V_DSS = 80V) 提升了器件的可靠性和适用范围。
4. 宽泛的工作温度范围 (-55℃ 至 +175℃) 使其能够在极端环境下正常运行。
5. 封装设计优化了热性能，方便散热处理。
6. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子产品中。
这些特性使得 IPB015N08N5 成为许多工业和消费类应用的理想选择。
IPB015N08N5 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动和控制电路。
3. 电池管理系统 (BMS) 和保护电路。
4. 逆变器和 UPS 系统。
5. 工业自动化设备中的负载开关。
6. 汽车电子系统，如电动助力转向和刹车控制。
由于其出色的电气特性和可靠性，IPB015N08N5 可以满足多种复杂应用需求，提供高效的功率转换解决方案。
IPD015N08N5L, IRF840, STP15NF08
