时间：2025/7/10 10:43:12
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IPB010N06N 是一款 N 沃特 (Nexperia) 公司生产的功率 MOSFET，具体为 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用小型化封装设计，适用于多种功率转换和开关应用。其主要特点是低导通电阻、高效率和出色的热性能，非常适合用于消费类电子产品、工业设备及汽车电子中的负载开关、DC-DC 转换器和电机驱动等场景。
该器件的额定电压为 60V，连续漏极电流可达 10A（在特定条件下），并且具有快速开关速度和较低的栅极电荷，有助于提高系统效率并减少电磁干扰。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：10A
导通电阻（典型值）：2.9mΩ
栅极电荷：34nC
开关时间：ton=18ns，toff=25ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-Lead (LFPAK56E)
1. 极低的导通电阻，能够显著降低传导损耗。
2. 高效的功率转换能力，适用于高频开关应用。
3. 小型化封装设计，节省电路板空间。
4. 支持宽泛的工作温度范围，适应各种恶劣环境。
5. 出色的热稳定性，确保长时间运行的可靠性。
6. 快速开关特性减少了开关损耗和系统的整体功耗。
7. 符合 RoHS 标准，环保且无铅工艺制造。
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC 转换器中的高端或低端开关。
3. 消费类电子产品的负载开关。
4. 工业自动化设备中的电机驱动控制。
5. 汽车电子中的电池管理系统（BMS）。
6. 各种需要高效功率转换的应用场景。
IPA010N06N
IRLZ44N
FDP017N06Z
