时间：2025/5/12 15:40:35
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IPAN60R125PFD7SXKSA1是一款由Infineon（英飞凌）生产的功率MOSFET，采用TRENCHSTOP?技术制造。这款器件主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等场景。其封装形式为PQFN5*6，具有较低的导通电阻和良好的开关性能，能够显著提高效率并降低损耗。
该器件在设计上注重提升系统可靠性与效率，特别适合需要紧凑型解决方案的应用场合。
型号：IPAN60R125PFD7SXKSA1
类型：N-Channel MOSFET
VDS（漏源极电压）：60V
RDS(on)（导通电阻，典型值）：125mΩ
ID（连续漏极电流）：41A
栅极电荷（Qg）：35nC
输入电容（Ciss）：2390pF
封装：PQFN5x6
工作温度范围：-55℃至175℃
IPAN60R125PFD7SXKSA1采用了先进的TRENCHSTOP?技术，具备以下突出特点：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗。
2. 超快的开关速度，可实现高频操作，从而减小磁性元件体积。
3. 高效的热性能设计，确保即使在高功率密度条件下也能保持稳定运行。
4. 出色的短路耐受能力，增强系统整体可靠性。
5. 小尺寸PQFN封装，便于实现更紧凑的电路布局。
这款MOSFET广泛应用于各种电力电子设备中，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流和主开关。
2. 电动工具及家用电器中的电机驱动控制。
3. 新能源汽车的辅助电源模块。
4. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
由于其高效能表现，IPAN60R125PFD7SXKSA1非常适合要求高效率、小型化和高性能的设计。
IPB60R125PFD7S, IRF640N
