IPA70R600P7S 是一款由 Infineon(英飞凌)生产的功率 MOSFET 芯片,属于 OptiMOS 系列。该器件采用 TRENCHSTOP? 技术制造,具有低导通电阻、高效率和优异的开关性能。IPA70R600P7S 主要用于工业应用中的高效功率转换场景,如太阳能逆变器、不间断电源 (UPS) 和电机驱动等。
其封装形式为 PQFN 封装,具有小尺寸、散热性能优越的特点,非常适合对空间和热管理有严格要求的设计。
最大漏源电压:600V
导通电阻(典型值):70mΩ
连续漏极电流:31A
栅极电荷:85nC
反向恢复时间:9ns
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装类型:PQFN5x6
IPA70R600P7S 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),在高电流条件下能够显著降低功耗,提升系统效率。
2. 高效的开关性能,通过优化的栅极电荷设计减少开关损耗。
3. 快速的反向恢复时间 (trr),有助于降低高频应用中的开关噪声和能量损失。
4. 宽泛的工作温度范围 (-55℃ 至 +175℃),适用于恶劣环境下的可靠运行。
5. 符合 AEC-Q101 标准,确保其在汽车级应用中的稳定性。
6. 内置 ESD 保护功能,提高芯片在实际使用中的抗静电能力。
7. 小型 PQFN 封装设计,节省 PCB 空间并改善散热性能。
IPA70R600P7S 广泛应用于以下领域:
1. 工业电源和 UPS 系统中的 DC-DC 转换模块。
2. 太阳能逆变器中的功率级开关元件。
3. 电动汽车和混合动力汽车的牵引逆变器。
4. 各类电机驱动电路,如伺服电机和步进电机控制。
5. 开关模式电源 (SMPS) 中的主开关或同步整流器。
6. PFC(功率因数校正)电路中的升压开关元件。
7. 其他需要高效率、高可靠性和紧凑设计的功率电子设备。
IPA60R190P7S, IPA70R650P7S