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IPA70R360P7S 发布时间 时间:2025/5/19 16:09:38 查看 阅读:25

IPA70R360P7S是由英飞凌(Infineon)生产的MOSFET功率半导体器件。该型号属于P沟道增强型MOSFET,采用TO-263封装形式(DPAK)。这种器件广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景。
  该系列MOSFET以低导通电阻和高效率为特点,适合需要高性能的工业及消费类应用。

参数

最大漏源电压:70V
  连续漏极电流:19A
  导通电阻(典型值):360mΩ
  栅极电荷:15nC
  开关速度:快速
  封装形式:TO-263(DPAK)
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

IPA70R360P7S是一款高性能P沟道MOSFET,具有以下显著特点:
  1. 低导通电阻:典型值为360mΩ,有助于降低传导损耗并提高整体系统效率。
  2. 高耐用性:其最大漏源电压为70V,能够承受较高的电压波动。
  3. 快速开关能力:由于其较低的栅极电荷(15nC),开关速度较快,适用于高频应用。
  4. 热稳定性强:该器件的工作温度范围为-55℃至+175℃,能够在极端环境下稳定运行。
  5. 封装紧凑:采用TO-263封装,体积小且易于安装,同时具备良好的散热性能。
  这些特性使IPA70R360P7S成为多种电力电子应用的理想选择,例如电池管理系统、LED驱动器和电信设备中的负载开关等。

应用

IPA70R360P7S适用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)设计,用于高效能量转换。
  2. DC-DC转换器,作为主开关或同步整流元件。
  3. 电机驱动电路,用于控制直流无刷电机或其他类型的电机。
  4. 负载开关,在便携式设备中实现电源管理和保护功能。
  5. 工业自动化设备中的各种功率控制模块。
  6. 汽车电子应用,如车身控制模块和照明系统。
  7. 电池管理系统的功率路径控制。
  这些应用均得益于该器件的高效率、快速开关特性和热稳定性。

替代型号

IPA70R300P7S
  IPA70R380P7S

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