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IPA60R280C6 发布时间 时间:2025/4/28 13:11:43 查看 阅读:4

IPA60R280C6是一款由Infineon(英飞凌)生产的MOSFET芯片,属于CoolMOS系列。该器件采用PQFN5x6封装形式,具有低导通电阻和高开关频率的特点,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他功率转换场景。此款MOSFET为N沟道增强型,适用于中等功率范围内的各种工业和消费类电子产品。

参数

最大漏源电压:600V
  最大连续漏电流:13.7A
  导通电阻:280mΩ
  栅极电荷:49nC
  开关速度:快速
  工作结温范围:-55℃至+150℃
  封装类型:PQFN5x6

特性

IPA60R280C6具有以下主要特性:
  1. 高耐压能力:其额定漏源电压为600V,能够承受较高的瞬态电压波动,非常适合在高压环境下使用。
  2. 低导通电阻:导通电阻仅为280mΩ,显著降低了功率损耗,提升了整体效率。
  3. 快速开关性能:较小的栅极电荷(49nC)使得该器件具备较快的开关速度,从而减少开关损耗。
  4. 紧凑封装:PQFN5x6封装体积小巧,有助于节省PCB空间,并提供良好的散热性能。
  5. 可靠性高:得益于英飞凌先进的制造工艺,该器件在高温和高频条件下仍能保持稳定运行。
  6. 符合RoHS标准:环保设计,适合全球市场应用。

应用

IPA60R280C6适用于多种电力电子领域,包括但不限于以下应用场景:
  1. 开关电源(SMPS):用于AC-DC或DC-DC转换器中的功率开关。
  2. 电机驱动:控制小型直流或步进电机的运行状态。
  3. LED照明:作为恒流驱动电路中的关键元件,确保LED亮度稳定。
  4. 充电器:用于手机、笔记本电脑等便携式设备的充电器模块。
  5. 工业自动化:在各类工业控制器、传感器接口中实现信号隔离与功率传输。
  6. 电池管理系统(BMS):保护锂电池组免受过充、过放及短路损害。

替代型号

IPA60R250PD
  IPA60R200PFD
  IPA60R180PFD

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IPA60R280C6参数

  • 数据列表IPA60R280C6
  • 产品培训模块CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
  • 标准包装500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列CoolMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C13.8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C280 毫欧 @ 6.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3.5V @ 430µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs43nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds950pF @ 100V
  • 功率 - 最大32W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装PG-TO-220-FP
  • 包装管件
  • 其它名称SP000645030