时间：2025/7/22 11:09:25
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IPA60R190P6XKSA1 是由英飞凌（Infineon）生产的一款高性能功率MOSFET晶体管，属于OptiMOS?系列。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻（Rds(on)）和高开关性能，适用于高效率电源转换应用，如DC-DC转换器、同步整流器、电机控制和电源管理系统。该MOSFET封装为PG-HSOF-8，符合RoHS标准，并具有高可靠性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：600V
栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：21A（在25°C时）
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
导通电阻(Rds(on))：0.19Ω @ Vgs=10V
漏极功耗(Pd)：64W
封装形式：PG-HSOF-8
封装类型：表面贴装（SMD）
阈值电压(Vgs(th))：2V ~ 4V
输入电容(Ciss)：1000pF @ 1MHz
栅极电荷(Qg)：38nC @ 10V
IPA60R190P6XKSA1 采用了英飞凌的OptiMOS?技术，具备极低的导通电阻，从而降低了导通损耗，提高了系统效率。该MOSFET在高频开关应用中表现出色，具有较低的开关损耗，适用于高效率电源设计。此外，其耐高压能力和优异的热稳定性使其在高温环境下依然保持良好的性能。该器件还具备高雪崩能量承受能力，提升了系统的稳定性和可靠性。
其封装设计为表面贴装型（PG-HSOF-8），便于自动化生产和PCB布局，同时具备良好的散热性能。此外，该MOSFET的栅极驱动电压兼容标准逻辑电平，简化了驱动电路的设计，适用于各种电源管理与电机控制应用。
作为一款工业级功率MOSFET，IPA60R190P6XKSA1广泛用于服务器电源、电信设备、工业自动化、电池管理系统（BMS）和太阳能逆变器等高可靠性要求的场景中。
IPA60R190P6XKSA1 主要用于需要高效率和高性能的电源转换系统中。典型应用包括：高效率DC-DC转换器、同步整流器、服务器电源、UPS不间断电源、电信整流模块、电机控制电路、电池管理系统（BMS）、LED驱动电源以及太阳能逆变器等。此外，该MOSFET也可用于工业自动化设备、功率因数校正（PFC）电路和高边/低边开关电路中。其高可靠性和优异的热性能使其适用于高温环境下的工业和通信设备。
IPB60R190P6XKSA1, STF60NM60N, FQA24N60C, SPW60N60S5-12
