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IPA60R190P6XKSA1 发布时间 时间:2025/7/22 11:09:25 查看 阅读:2

IPA60R190P6XKSA1 是由英飞凌(Infineon)生产的一款高性能功率MOSFET晶体管,属于OptiMOS?系列。该器件采用先进的沟槽技术,提供低导通电阻(Rds(on))和高开关性能,适用于高效率电源转换应用,如DC-DC转换器、同步整流器、电机控制和电源管理系统。该MOSFET封装为PG-HSOF-8,符合RoHS标准,并具有高可靠性。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):600V
  栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):21A(在25°C时)
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  导通电阻(Rds(on)):0.19Ω @ Vgs=10V
  漏极功耗(Pd):64W
  封装形式:PG-HSOF-8
  封装类型:表面贴装(SMD)
  阈值电压(Vgs(th)):2V ~ 4V
  输入电容(Ciss):1000pF @ 1MHz
  栅极电荷(Qg):38nC @ 10V

特性

IPA60R190P6XKSA1 采用了英飞凌的OptiMOS?技术,具备极低的导通电阻,从而降低了导通损耗,提高了系统效率。该MOSFET在高频开关应用中表现出色,具有较低的开关损耗,适用于高效率电源设计。此外,其耐高压能力和优异的热稳定性使其在高温环境下依然保持良好的性能。该器件还具备高雪崩能量承受能力,提升了系统的稳定性和可靠性。
  其封装设计为表面贴装型(PG-HSOF-8),便于自动化生产和PCB布局,同时具备良好的散热性能。此外,该MOSFET的栅极驱动电压兼容标准逻辑电平,简化了驱动电路的设计,适用于各种电源管理与电机控制应用。
  作为一款工业级功率MOSFET,IPA60R190P6XKSA1广泛用于服务器电源、电信设备、工业自动化、电池管理系统(BMS)和太阳能逆变器等高可靠性要求的场景中。

应用

IPA60R190P6XKSA1 主要用于需要高效率和高性能的电源转换系统中。典型应用包括:高效率DC-DC转换器、同步整流器、服务器电源、UPS不间断电源、电信整流模块、电机控制电路、电池管理系统(BMS)、LED驱动电源以及太阳能逆变器等。此外,该MOSFET也可用于工业自动化设备、功率因数校正(PFC)电路和高边/低边开关电路中。其高可靠性和优异的热性能使其适用于高温环境下的工业和通信设备。

替代型号

IPB60R190P6XKSA1, STF60NM60N, FQA24N60C, SPW60N60S5-12

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IPA60R190P6XKSA1参数

  • 现有数量491现货
  • 价格1 : ¥25.28000管件
  • 系列CoolMOS? P6
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)600 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)20.2A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)190 毫欧 @ 7.6A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 630μ
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)37 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1750 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)34W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装PG-TO220-FP
  • 封装/外壳TO-220-3 整包