时间：2025/12/26 19:41:34
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IPA041N04NG是一款由英飞凌（Infineon）生产的高性能N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等高效率功率转换场合。该器件采用先进的TrenchGate技术，具备低导通电阻（RDS(on)）、优异的开关性能以及良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行。其封装形式为PG-HSOF-5，是一种小型化表面贴装封装，适合自动化生产并有助于减小整体PCB面积。IPA041N04NG特别适用于对能效要求较高的应用，如服务器电源、电信设备和工业控制系统。该MOSFET设计用于在40V的漏源电压下工作，具有较高的电流承载能力，同时通过优化栅极电荷（Qg）降低驱动损耗，从而提升系统整体效率。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备良好的抗雪崩能力和短路耐受能力，增强了系统的鲁棒性。器件内部结构经过优化，能够有效减少寄生参数，提高高频工作的稳定性。由于其出色的电气特性和封装优势，IPA041N04NG成为现代高密度电源设计中的理想选择之一。
型号：IPA041N04NG
制造商：Infineon Technologies
类型：N-Channel MOSFET
漏源电压（VDS）：40 V
连续漏极电流（ID）@25°C：180 A
脉冲漏极电流（IDM）：360 A
栅源电压（VGS）：±20 V
导通电阻（RDS(on)）@10V VGS：0.95 mΩ
导通电阻（RDS(on)）@4.5V VGS：1.3 mΩ
栅极电荷（Qg）@10V：75 nC
输入电容（Ciss）：7700 pF
阈值电压（Vth）：2.0 V
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
封装/包装：PG-HSOF-5
IPA041N04NG采用英飞凌先进的TrenchGate沟道MOSFET技术，这种技术通过优化沟道结构和电场分布，显著降低了导通电阻与开关损耗之间的权衡关系，使器件在保持极低RDS(on)的同时仍具备快速开关能力。其超低的导通电阻（典型值低至0.95mΩ @10V VGS）有效减少了导通状态下的功率损耗，这对于大电流应用场景至关重要，可显著提升电源系统的转换效率并降低散热需求。该器件的栅极电荷（Qg）仅为75nC，意味着在高频开关操作中所需的驱动能量更少，从而减轻了栅极驱动电路的负担，并进一步提升了系统能效。
器件具有出色的热性能表现，得益于其PG-HSOF-5封装结构，底部带有裸露焊盘，能够高效地将热量传导至PCB，实现良好的散热效果。这使得IPA041N04NG即使在高负载条件下也能维持较低的工作温度，延长使用寿命并提高可靠性。此外，该MOSFET具备优异的抗雪崩能力，能够在意外过压或感性负载关断时承受一定的能量冲击而不损坏，增强了整个系统的安全性和耐用性。
IPA041N04NG还针对电磁兼容性（EMI）进行了优化设计，开关过程中电压和电流的变化率更加平滑，有助于降低高频噪声辐射，简化滤波电路的设计。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+175°C）使其适用于严苛环境下的工业和汽车电子应用。综合来看，该器件凭借其低损耗、高可靠性与紧凑封装，在现代高效电源管理系统中展现出强大的竞争力。
IPA041N04NG广泛应用于需要高效率和大电流处理能力的电力电子系统中。常见应用包括服务器和数据中心的VRM（电压调节模块），其中多个相位并联使用以提供稳定的低电压大电流输出给CPU或GPU。它也常用于通信电源、DC-DC升降压转换器以及POL（Point-of-Load）电源模块，因其低导通电阻和快速响应特性，能够有效提升转换效率并减少发热。在工业自动化设备中，该器件可用于电机驱动电路中的高端或低端开关，实现精确控制和节能运行。此外，在电池管理系统（BMS）、电动工具和便携式储能设备中，IPA041N04NG也可作为主开关元件，承担充放电通路的通断控制任务。由于其优异的动态性能和热管理能力，该MOSFET同样适用于汽车电子领域，例如车载充电机（OBC）、DC-DC转换器和辅助电源系统。在这些应用中，器件必须在高温、振动和电磁干扰等复杂环境下稳定工作，而IPA041N04NG的设计正好满足这些严苛要求。其小型化封装也有助于实现更高密度的电路布局，适应现代电子产品向轻薄化、集成化发展的趋势。因此，无论是在消费类、工业级还是汽车级应用中，IPA041N04NG都是一款极具价值的核心功率开关器件。
IPD041N04NG
BSC041N04NS5
BSC059N04LS5
IRLHS6242
