时间：2025/7/4 20:04:08
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IP4283CZ10-TBA-TP是一款基于硅基工艺的功率MOSFET芯片，专为高频开关应用而设计。该器件采用了先进的封装技术，具备低导通电阻和快速开关特性，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动等场景。
该芯片内部结构优化了栅极驱动性能，降低了开关损耗，并且在高电流负载下仍能保持较低的温升。其卓越的热性能和电气性能使其成为工业级和消费电子领域中的理想选择。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：30A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：75nC
工作温度范围：-55℃至150℃
封装形式：TO-220
IP4283CZ10-TBA-TP具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效降低功耗。
2. 快速开关能力，适合高频应用场合。
3. 高效散热设计，确保长时间稳定运行。
4. 优异的抗雪崩能力，提升了系统可靠性。
5. 符合RoHS标准，环保无铅封装。
6. 可靠性经过严格测试，满足工业级使用需求。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）及AC-DC适配器。
2. 降压和升压型DC-DC转换器。
3. 汽车电子中的电机控制与电池管理系统。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. LED驱动电路及其他高效能电力转换系统。
由于其出色的电气性能和热性能，这款MOSFET特别适合需要高效节能的应用环境。
IPB030N06N3G, IRF540N, FDP047N06L
