类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：150 V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20 V
　　最大连续漏极电流（Id）：19 A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.18 Ω
　　最大功耗（Ptot）：40 W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：TO-220

IP3R19A-15 MOSFET 的主要特性包括低导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗并提高系统效率。该器件能够在高电压和高电流条件下稳定工作，适用于多种电源管理应用。此外，IP3R19A-15 还具有良好的热稳定性和高耐用性，能够在高温环境下长时间运行而不会出现性能下降。其 TO-220 封装形式提供了良好的散热性能，并且易于安装在 PCB 上。
　　这款 MOSFET 还具有快速开关能力，能够有效减少开关损耗，提高系统的整体性能。IP3R19A-15 的栅极驱动要求较低，能够在较宽的栅源电压范围内正常工作，使其适用于多种驱动电路设计。此外，其高雪崩能量耐受能力确保了在极端条件下仍能保持稳定运行。

IP3R19A-15 主要用于工业电源、电池管理系统、DC-DC 转换器、负载开关、马达控制和功率因数校正（PFC）电路。由于其高电流容量和低导通电阻，它也非常适合用于需要高效能和高可靠性的开关电源（SMPS）设计。此外，该器件还可用于 UPS（不间断电源）、逆变器、LED 照明驱动器和各种类型的功率控制电路中。在汽车电子系统中，IP3R19A-15 可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）以及其他需要高可靠性的功率管理应用。

IPW90R120C3, IRF150, FDP19N150