类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：6.3A（在 Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：49A
　　功耗（Ptot）：3.1W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 150°C
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 22mΩ（在 Vgs=10V）
　　栅极电荷（Qg）：23nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：1100pF（典型值）
　　封装类型：TSOP
　　安装类型：表面贴装

IP103H 以其高性能和高可靠性著称，特别适用于需要高效能功率管理的场景。其低导通电阻（Rds(on)）可以显著降低导通损耗，提高系统效率。同时，该器件的高栅极电荷（Qg）特性使其在高频开关应用中表现出色，能够有效减少开关损耗。IP103H 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有良好的热稳定性和电流承载能力。
　　此外，IP103H 还具备良好的抗雪崩能力和过载保护性能，能够在严苛的工作环境下保持稳定运行。其封装设计优化了散热性能，有助于在高电流应用中维持较低的结温，从而提高器件的可靠性和寿命。该器件的栅极驱动电压范围较宽，可在 4.5V 至 20V 之间正常工作，使其兼容多种控制电路和驱动器。
　　IP103H 还具备快速开关速度，适用于高频率工作的电源转换器。其低反向恢复电荷（Qrr）特性也使其在同步整流和桥式电路中表现出色。此外，该器件的输入电容较低，有助于减少栅极驱动电路的负担，提高整体系统的响应速度。

IP103H 主要应用于需要高效功率转换和管理的场合。常见应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、电源管理模块以及工业自动化设备。此外，该器件也广泛用于汽车电子系统，如车载充电器、起停系统和 LED 照明驱动电路。
　　在通信设备中，IP103H 可用于电源模块和功率放大器的开关控制。由于其高效率和低导通损耗的特性，它也被广泛应用于服务器和计算机的电源供应器中，以提高整体能效。在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，IP103H 也能发挥出色的性能，支持高可靠性和长寿命的设计需求。

IPB103H, IPD103H, IPW103H