时间：2025/8/6 16:19:54
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INN3165C-H113-TL 是由 Power Integrations 公司推出的一款集成式离线反激式开关电源控制器芯片，属于其 InnoSwitch?3 系列产品之一。该芯片采用 PowiGaN? 技术，集成了高压 GaN 开关器件、同步整流控制器以及反馈控制电路，适用于高效率、小体积的 AC-DC 电源转换应用。INN3165C-H113-TL 采用表面贴装封装（SMD），适用于自动化生产流程。
工作电压范围：80VAC - 265VAC（宽输入）
输出功率范围：高达 65W
集成开关器件：GaN（氮化镓）
拓扑结构：反激式（Flyback）
封装类型：InSOP?-24D
效率：高于 94%
工作温度范围：-40°C 至 +150°C
保护功能：过温保护（OTP）、过压保护（OVP）、欠压锁定（UVLO）、过流保护（OCP）
控制方式：准谐振（QR）
最大开关频率：约 100kHz
反馈方式：同步整流与数字反馈
INN3165C-H113-TL 的核心优势在于其高度集成化的设计和采用 GaN 技术带来的高性能表现。该芯片将高压 GaN 开关、初级控制器、同步整流控制器和反馈机制集成在一个封装内，大大减少了外围元件数量，提高了电源系统的可靠性并减小了 PCB 占用面积。此外，由于 GaN 器件具有较低的导通电阻和开关损耗，该芯片能够在高频下工作，从而提升整体效率并实现更高的功率密度。
该芯片支持宽输入电压范围，适应全球范围的交流输入电压，同时具备多种保护功能，包括过温保护、过压保护、欠压锁定和过流保护，确保电源在各种异常情况下都能安全运行。其准谐振控制方式进一步降低了开关损耗，提高了轻载效率。
INN3165C-H113-TL 的另一个显著特性是其内置的 FluxLink? 技术，该技术实现了初级和次级之间的数字通信，无需光耦即可实现精确的输出电压和电流调节，提升了系统的稳定性和响应速度。该芯片还支持动态负载响应，适用于对电源稳定性要求较高的应用场景。
INN3165C-H113-TL 主要应用于需要高效率、高功率密度的小型化电源系统，例如笔记本电脑适配器、USB PD 电源、工业控制电源、医疗设备电源、智能家居设备电源以及消费类电子产品的充电器。由于其 GaN 技术带来的高频特性和高效率表现，该芯片特别适合用于需要紧凑型设计的电源产品，能够满足现代电子设备对节能、轻薄化和高效能的严格要求。
INN3166C-H113-TL, INN3168C-H113-TL
