INN2005K0044-TL 是由 Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的一款高性能、高集成度的半导体器件,属于其 CoolMOS? 系列的一部分。该器件是一款功率 MOSFET,专为高效率、高功率密度的应用而设计,适用于各种工业和消费类电子设备。INN2005K0044-TL 以其优异的导通损耗和开关损耗性能著称,能够在高频工作条件下提供稳定的性能。
类型:功率MOSFET
材料:硅
结构:增强型
极性:N沟道
最大漏极电流:10A
最大漏源电压:600V
最大栅源电压:±20V
导通电阻:0.44Ω
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:TO-220
功耗:80W
栅极电荷:23nC
输入电容:1100pF
输出电容:220pF
反向恢复时间:35ns
INN2005K0044-TL 具备多项优异特性,使其在功率电子设计中具有广泛的应用潜力。首先,该器件的低导通电阻(Rds(on))确保在高电流负载下仍然能够保持较低的功率损耗,从而提高整体系统效率。
其次,INN2005K0044-TL 的高耐压能力(600V)使其非常适合用于高电压输入环境,例如离线电源转换器和功率因数校正(PFC)电路。此外,该MOSFET的快速开关特性减少了开关损耗,从而提高了高频应用中的性能。
该器件的 TO-220 封装设计提供了良好的散热性能,并且兼容标准的 PCB 安装流程,方便工程师进行设计和制造。INN2005K0044-TL 的宽工作温度范围(-55°C 至 150°C)也确保了其在极端环境下的稳定性和可靠性。
此外,该器件的栅极驱动要求较低,适合与多种类型的驱动电路配合使用,从而简化了电源管理系统的整体设计复杂度。
INN2005K0044-TL 通常用于各种高功率密度和高效率的电源转换系统。例如,在开关电源(SMPS)中,该器件可以作为主开关元件,用于高效的电压转换和稳压。在功率因数校正(PFC)电路中,INN2005K0044-TL 的高电压耐受能力和低导通损耗使其成为理想的开关元件。
此外,该器件也广泛应用于电机控制、不间断电源(UPS)、LED驱动器以及工业自动化系统中的电源模块。在消费类电子产品中,如高功率LED照明、充电器和适配器中,INN2005K0044-TL 同样可以提供可靠的性能支持。
由于其优异的热稳定性和高频响应特性,INN2005K0044-TL 也常用于高频逆变器和DC-DC转换器中,确保在紧凑型设计下依然能够保持高效率和稳定性。
IPD65R450CFD, STF10NM60ND, FQA10N60C