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INK0010AM1 发布时间 时间:2025/12/28 4:27:20 查看 阅读:13

INK0010AM1是一款由InnoSwitch3系列推出的高性能离线式反激控制器,广泛应用于电源适配器、充电器及工业电源等高能效需求的场合。该器件集成了高压开关管和次级侧反馈控制功能,采用PowiGaN技术,即氮化镓(GaN)功率开关技术,显著提升了转换效率并降低了功耗。其设计旨在替代传统硅基MOSFET解决方案,在保持高可靠性的同时实现更高的功率密度和更低的系统成本。INK0010AM1具备出色的动态负载响应能力,适用于宽输入电压范围的应用环境,支持连续导通模式(CCM)和非连续导通模式(DCM)运行,从而优化不同负载条件下的效率表现。此外,该芯片内置了多重保护机制,包括过流保护(OCP)、过压保护(OVP)、过温保护(OTP)以及线路欠压锁定(UVLO),确保系统在异常情况下的安全运行。通过集成FluxLink?技术,实现了初级侧与次级侧之间的高速通信,无需光耦即可完成精确的电压调节,提高了系统的可靠性和寿命。

参数

型号:INK0010AM1
  制造商:Power Integrations
  产品系列:InnoSwitch3-Pro
  拓扑结构:反激式转换器
  控制方式:准谐振/固定频率
  输入电压范围:90VAC 至 265VAC(通用交流)
  输出功率能力:最高约100W
  开关频率:典型值为100kHz
  集成开关类型:PowiGaN GaN开关
  启动电流:<20μA
  工作温度范围:-40°C 至 +150°C
  封装形式:ISOPackage(InSOP-28D)
  反馈机制:FluxLink?磁感通信(无光耦)
  控制模式:初级侧感应+次级侧同步整流控制
  可编程性:支持数字接口进行动态输出电压调整
  效率:>94%(典型应用)

特性

INK0010AM1的核心优势在于其采用了先进的PowiGaN氮化镓开关技术,这一技术使得内部集成的高压开关能够在更低的导通电阻和开关损耗下运行,从而大幅提高整体电源转换效率。相比传统的硅基器件,GaN技术允许更高的开关频率,这意味着可以使用更小的磁性元件和电容,进而减小整个电源系统的体积和重量,非常适合对空间敏感的便携式设备电源设计。此外,该芯片支持精确的恒压(CV)和恒流(CC)输出控制,特别适合电池充电应用,能够根据负载需求自动调节输出电压和电流,保证充电过程的安全与高效。
  另一个关键特性是其搭载的FluxLink?隔离式数字反馈技术。这项技术通过初级和次级控制器之间的高频磁信号传输实现闭环控制,完全取代了传统光耦加TL431的反馈方案。由于光耦存在老化问题且温度稳定性较差,FluxLink?不仅提升了长期可靠性,还提供了更快的瞬态响应速度和更高的控制精度。同时,该器件具备多模式操作能力,可根据负载情况智能切换CCM、DCM或准谐振模式,最大限度地提升全负载范围内的能效表现。
  安全性方面,INK0010AM1集成了全面的保护功能,包括逐周期电流限制、输出过压保护、过温关断、输入欠压锁定以及自动恢复或锁存故障处理机制。这些保护措施共同作用,有效防止因外部异常导致的器件损坏。此外,芯片支持可编程的动态电压调节(DVR),可通过I2C或UART接口实时调整输出电压,适用于USB PD、QC等快充协议场景。其高度集成的设计减少了外围元器件数量,简化了PCB布局,缩短了产品开发周期,并有助于降低整体BOM成本。

应用

INK0010AM1主要面向中高功率密度的离线式电源应用,尤其适用于需要高效率、小体积和高可靠性的场合。典型应用包括笔记本电脑、平板电脑和智能手机的快速充电器,支持USB Power Delivery(PD)和多种专有快充协议(如QC、SCP等)。在消费电子领域,它可用于电视、机顶盒、路由器等家电和网络设备的外置电源适配器。工业应用方面,该芯片适合用于工业传感器、PLC模块、LED驱动电源以及医疗设备中的辅助电源单元。由于其优异的热性能和宽温工作能力,也适用于高温或恶劣环境下的封闭式电源设计。此外,得益于其支持动态电压调节的功能,INK0010AM1还可用于可编程电源、实验室电源或测试设备中,实现灵活的输出控制。其无光耦设计特别有利于追求长寿命和免维护特性的应用场景,例如楼宇自动化系统或远程监控设备供电。

替代型号

INN3370CQ-TL

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