IN903-RI01 时间：2025/9/13 1:52:02 阅读：18

IN903-RI01是一款由Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)生产的高性能异步静态随机存取存储器（SRAM），容量为512K位，组织形式为512K x 8位。该器件适用于需要高速数据访问和低功耗的应用场景。IN903-RI01采用CMOS工艺制造，具有宽电压工作范围，适合多种工业和商业应用。

参数

类型：SRAM
　　容量：512K x 8位
　　电源电压：2.3V 至 3.6V
　　访问时间：10ns、12ns、15ns（根据具体型号）
　　封装类型：TSOP、SOJ、TSOP-II
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C（工业级）
　　接口类型：并行
　　读取/写入模式：异步
　　数据保持电压：1.5V（最低）

特性

IN903-RI01 SRAM芯片具有多项优异特性，适用于对性能和可靠性要求较高的系统。首先，其高速访问时间（最快可达10ns）使得该芯片能够满足高性能嵌入式系统的数据存取需求。其次，它支持低功耗模式，通过芯片使能（CE）和输出使能（OE）信号控制，可以在非活跃状态下显著降低功耗，适合电池供电设备或对能耗敏感的应用。
　　该器件采用异步接口设计，无需时钟同步信号，简化了与微控制器、FPGA或其他主机系统的连接。此外，IN903-RI01的工作电压范围较宽（2.3V至3.6V），增强了其在不同供电环境下的兼容性。芯片还具备数据保持功能，在VCC降至1.5V以上时仍能保持数据完整性，确保系统在低电压状态下的数据安全。
　　在封装方面，IN903-RI01提供TSOP、SOJ等多种封装形式，适应不同的PCB布局需求，并具备良好的热稳定性和机械可靠性。工业级温度范围（-40°C至+85°C）使其适用于严苛环境下的工业控制系统、网络设备、通信模块和消费类电子产品。

应用

IN903-RI01广泛应用于需要高速、低功耗、宽电压工作的嵌入式系统中。典型应用包括网络路由器和交换机的缓存、工业控制系统的临时数据存储、医疗设备的数据缓冲、便携式电子设备（如手持终端和智能仪表）以及通信模块中的临时数据存储单元。由于其异步接口和兼容性强的特点，该芯片也常用于替代老一代异步SRAM，实现系统的升级和优化。