封装类型：TSOP
　　引脚数：8
　　工作电压范围：4.5V 至 32V
　　最大工作频率：1MHz
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　驱动能力：1.2A 峰值电流
　　输入信号类型：兼容 TTL/CMOS
　　输出类型：高边和低边驱动
　　时序控制：内置死区时间控制

IN6631USTR 采用先进的同步整流技术，能够显著降低整流损耗，提高整体系统效率。其内部集成的驱动电路可直接驱动高边 N 沟道 MOSFET，避免了外部驱动变压器的使用，从而简化了设计并降低了成本。
　　该芯片具备宽输入电压范围（4.5V 至 32V），适用于多种电源架构，包括 LLC 谐振转换器和反激式转换器。IN6631USTR 还具备高达 1MHz 的工作频率支持，使其适用于高频开关应用，有助于减小外部元件尺寸，提高功率密度。
　　芯片内置死区时间控制功能，防止上下桥臂直通，确保系统安全运行。此外，IN6631USTR 具备较强的抗干扰能力，能够在复杂的电磁环境中稳定工作，提高了系统的可靠性和稳定性。
　　该器件采用 8 引脚 TSOP 封装，体积小巧，便于在紧凑型 PCB 设计中使用。其工作温度范围为 -40°C 至 +125°C，适用于工业级应用环境。

IN6631USTR 主要用于各种高效电源转换系统中，作为同步整流控制器驱动外部 N 沟道 MOSFET。典型应用包括 LLC 谐振转换器、反激式转换器、DC-DC 转换器、AC-DC 电源适配器、服务器电源、通信设备电源、工业电源系统等。
　　在 LLC 谐振转换器中，IN6631USTR 可以有效提升整流效率，降低损耗，提高整体能效；在反激式转换器中，该芯片可替代传统的肖特基二极管，实现更高的效率和更低的温升。
　　此外，IN6631USTR 也可用于同步整流器设计中的高边和低边驱动，适用于需要高可靠性和高性能的电源管理系统。

IN6630USTR, UCC27231DR, NCP4306LDADR