IN4757A 是一款常用的齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压参考和稳压应用。该器件具有稳定的击穿电压和较低的动态阻抗,适用于需要精确电压调节的电路设计。
类型:齐纳二极管
击穿电压:12V(标称值)
最大耗散功率:1W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-65°C 至 +175°C
封装形式:DO-41
IN4757A 齐纳二极管具有以下显著特性:
1. **稳定击穿电压**:该器件在额定电流范围内提供稳定的12V击穿电压,确保电路中的电压调节精度。
2. **高功率处理能力**:最大耗散功率为1W,适用于中等功率的稳压需求。
3. **宽温度范围**:能够在极端温度条件下正常工作,适合工业和汽车应用。
4. **低动态阻抗**:其低动态阻抗特性有助于在负载变化时保持电压稳定。
5. **快速响应时间**:在电压波动时能够迅速进入击穿状态,保护后续电路不受过电压影响。
6. **标准化封装**:采用DO-41封装,便于安装和替换,广泛适用于各种电路板设计。
IN4757A 主要用于以下应用场景:
1. **电压参考源**:在电源管理电路中提供稳定的参考电压。
2. **稳压电路**:用于低功率电源或分压电路中的稳压元件。
3. **过电压保护**:在敏感电路中作为保护器件,防止因电压过冲而损坏元件。
4. **信号调节**:用于信号处理电路中的电压钳位和电平调整。
5. **工业控制系统**:在工业自动化设备中提供稳定的电压基准。
6. **汽车电子**:用于车载电子系统的稳压和保护电路。
1N5257B, 1N4757, 1N4744A