时间：2025/8/1 18:36:10
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IMZA65R050M2H 是英飞凌（Infineon）推出的一款碳化硅（SiC）MOSFET功率晶体管，采用先进的碳化硅半导体技术，具有高效、高速和低导通损耗的特性。该器件适用于高功率密度和高效率的电力电子系统，如电动车充电器、太阳能逆变器、储能系统和工业电源。IMZA65R050M2H 具有50mΩ的低导通电阻，额定电压为650V，适合用于需要高开关频率和高效率的应用场景。
类型：碳化硅MOSFET
最大漏源电压（VDS）：650V
最大漏极电流（ID）：150A
导通电阻（RDS(on)）：50mΩ
栅极电荷（Qg）：120nC
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：TO-247-3
IMZA65R050M2H 采用碳化硅材料制造，具有显著优于传统硅基MOSFET的性能。首先，其导通电阻低至50mΩ，能够在高电流条件下提供更低的导通损耗，从而提高系统效率。其次，碳化硅技术使其具备更高的击穿电压和更宽的禁带宽度，因此能够在高温和高压环境下稳定运行，适用于恶劣工况下的电力电子设备。此外，该器件的开关速度快，能够支持高频开关操作，减少开关损耗，提高整体系统的功率密度。IMZA65R050M2H 还具备出色的热稳定性，能够在175°C的高温下持续工作，提高了系统的可靠性和耐用性。其TO-247-3封装设计便于安装和散热，适用于各种高功率应用。
IMZA65R050M2H 主要应用于需要高效率、高功率密度和高频开关的电力电子系统。在电动车充电器中，该器件能够提升充电效率并减少系统体积，适用于车载充电器（OBC）和直流快充模块。在太阳能逆变器中，IMZA65R050M2H 可以实现更高的能量转换效率，并降低系统损耗，从而提升整体能效。此外，该器件还广泛应用于储能系统、不间断电源（UPS）、工业电机驱动和高频DC-DC转换器等场景。其优异的高温性能和快速开关特性使其成为下一代高功率电力电子设备的理想选择。
IMZA65R045M1H, IMZA65R045M2H, IMZA65R060M1H
