类型：HEMT射频功率晶体管
　　最大漏极电流（ID(max)）：500 mA
　　最大漏源电压（VDS(max)）：125 V
　　输出功率（Pout）：约10 W（在UHF频段）
　　工作频率范围：高达1 GHz
　　增益（Gp）：约12 dB（典型值）
　　功率附加效率（PAE）：约60%
　　封装类型：陶瓷金属封装（Ceramic/Metal Package）

IMZ88-C 具有优异的高频性能和高稳定性，特别适用于UHF频段的通信系统。其HEMT结构使得晶体管在高频率下依然保持良好的增益和效率，同时具备较低的互调失真，提高了信号传输的质量。
　　此外，IMZ88-C 设计上具备良好的热稳定性和高耐用性，能够在较恶劣的工作环境中运行，适用于工业和通信设备的长期运行需求。其陶瓷金属封装不仅提供了良好的散热性能，还增强了机械强度和环境适应能力。
　　这款晶体管通常用于单边带（SSB）或调频（FM）无线电发射器中，作为末级功率放大器使用，能够有效提升输出功率并保持良好的线性度，确保信号的高质量传输。同时，IMZ88-C 在设计时考虑到了匹配电路的简易性，便于集成到现有射频系统中。

IMZ88-C 主要用于UHF频段的射频功率放大器设计，常见应用包括业余无线电设备、专业通信系统、广播发射器、测试设备以及工业控制系统等。由于其高可靠性和高效率特性，也常用于需要高稳定性和高输出功率的工业和商业通信设备中。

IMZ88, MRF151G, BLF177