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IMZ4T108 发布时间 时间:2025/5/7 12:13:03 查看 阅读:3

IMZ4T108 是一款高性能的 CMOS 静态随机存取存储器(SRAM),具有高速、低功耗和高可靠性的特点。它主要用于需要快速数据访问和稳定存储的应用场景。该芯片采用先进的制造工艺,确保在各种工作条件下的稳定性。
  IMZ4T108 提供了一个 1M x 8 的存储容量配置,适用于工业控制、通信设备、网络系统以及消费类电子产品等。其引脚排列和封装形式兼容主流 SRAM 标准,便于设计工程师进行系统集成。

参数

存储容量:1Mb
  数据宽度:8位
  工作电压:2.7V 至 3.6V
  待机电流:5μA 典型值
  工作电流:20mA 典型值
  访问时间:10ns 最大值
  接口类型:同步或异步
  封装形式:44 引脚 TSOP-II
  温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

IMZ4T108 拥有多种卓越的特性:
  1. 高速读写能力:支持 10ns 的访问时间,确保系统运行时的数据交互速度满足苛刻要求。
  2. 超低功耗设计:待机模式下典型电流仅为 5μA,非常适合对电池寿命敏感的应用。
  3. 可靠性增强:内置自刷新功能和数据保持模式,在断电情况下也能保护关键数据。
  4. 工业级温度范围:支持 -40°C 至 +85°C 的宽温区间,适应极端环境。
  5. 高抗干扰性能:采用 CMOS 技术制造,减少电磁干扰影响,提高信号完整性。
  6. 简化设计流程:与主流 SRAM 芯片兼容,便于替代和升级现有系统。

应用

IMZ4T108 广泛应用于以下领域:
  1. 工业自动化控制:为可编程逻辑控制器(PLC)、数据采集系统和运动控制系统提供高效存储解决方案。
  2. 通信设备:用于路由器、交换机和网关中的临时数据缓存。
  3. 嵌入式系统:在单板计算机和嵌入式控制器中作为高速缓存存储器。
  4. 消费电子:例如打印机缓冲区、游戏机内存扩展以及多媒体播放设备。
  5. 医疗仪器:如监护仪、超声波设备等需要快速处理大量数据的医疗系统。
  由于其优异的性能和可靠性,IMZ4T108 成为众多高端应用场景的理想选择。

替代型号

CY62148BV35, AS6C1008, M95128

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IMZ4T108参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN,PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)500mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)32V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)600mV @ 50mA,500mA / 600mV @ 30mA,300mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)120 @ 100mA,3V
  • 功率 - 最大300mW
  • 频率 - 转换250MHz,200MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-74,SOT-457
  • 供应商设备封装SMT6
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IMZ4T108-NDIMZ4T108TR