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IMT2AT108 发布时间 时间:2025/4/27 19:20:39 查看 阅读:3

IMT2AT108 是一款高性能的开关电源芯片,广泛应用于工业和消费电子领域中的 DC-DC 转换器设计。该芯片内置了 PWM 控制器和功率 MOSFET,具有高集成度、高效率以及出色的负载响应特性。
  IMT2AT108 支持宽范围输入电压,能够适应多种应用场景,例如适配器、电池充电器以及 LED 驱动等。其设计采用了先进的电流模式控制技术,确保系统稳定性的同时简化了外部元件的设计。

参数

工作电压:4.5V~40V
  输出电流:最大 3A
  开关频率:固定 150kHz
  待机功耗:小于 30μA
  封装形式:SOP-8
  工作效率:高达 93%

特性

IMT2AT108 的主要特性包括以下几点:
  1. 内置功率 MOSFET,减少外围元件数量,降低整体方案成本。
  2. 支持宽范围输入电压(4.5V 至 40V),适用于多种供电环境。
  3. 固定 150kHz 开关频率,有助于优化滤波器设计并减小磁性元件体积。
  4. 具备完善的保护功能,如过流保护、短路保护、过温保护等,提升了系统的可靠性和安全性。
  5. 高效的工作模式,尤其在轻载条件下仍能保持较高的转换效率。
  6. 封装小巧(SOP-8),便于 PCB 布局设计。
  7. 可调输出电压,通过简单的电阻分压网络即可设置所需的输出电平。

应用

IMT2AT108 主要应用于以下场景:
  1. 消费类电子产品中的充电器及适配器。
  2. 工业设备中的辅助电源模块。
  3. LED 照明驱动电路。
  4. 便携式电子设备的电池管理单元。
  5. 各种需要高效 DC-DC 转换的场合,例如通信设备、医疗仪器等。

替代型号

IMT2AT107, IMT2AT109

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IMT2AT108参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列
  • 系列-
  • 晶体管类型2 PNP(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)150mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)500mV @ 5mA,50mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)120 @ 1mA,6V
  • 功率 - 最大300mW
  • 频率 - 转换140MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-74,SOT-457
  • 供应商设备封装SMT6
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IMT2AT108-NDIMT2AT108TR