时间：2025/7/18 21:20:33
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IMP38HC44E是一款由IMP半导体公司制造的功率MOSFET晶体管，广泛用于需要高效能和低导通电阻的电源管理应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS(on)性能，从而减少功率损耗并提高效率。它适用于多种应用，包括DC-DC转换器、电机控制、负载开关和电源管理系统。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：44A
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大值为8.8mΩ（在VGS=10V时）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-220AB
IMP38HC44E具备低导通电阻，使其在高电流应用中具有较低的功率损耗，从而提高整体系统效率。该器件的高电流承载能力使其适用于需要高功率密度的设计。
此外，IMP38HC44E具有高雪崩能量耐受能力，能够在瞬态条件下提供更高的可靠性。其坚固的封装设计确保了良好的热管理和机械稳定性，适用于恶劣的工作环境。
该MOSFET还具备快速开关特性，减少开关损耗并提高系统的动态响应能力。这使得IMP38HC44E非常适合用于高频开关应用，如同步整流和电机驱动。
另外，IMP38HC44E的栅极设计允许在较宽的电压范围内稳定工作，使其兼容多种驱动电路。其宽工作温度范围也确保了在高温环境下依然保持稳定性能。
IMP38HC44E广泛应用于电源管理系统、DC-DC转换器、电机控制模块、负载开关以及电池管理系统。此外，它还可用于工业自动化设备、电动工具和电源适配器等高功率电子设备中。
SiHH44N60E、IRF38HC44、FDD8882
