时间：2025/9/3 21:52:54
阅读：5
IMN10T-110 是一款由 Littelfuse 生产的 P 沟道增强型 MOSFET，常用于保护电路和负载开关应用。这款器件具有低导通电阻、快速开关特性和高可靠性，适用于多种电子系统，特别是在需要高效率和稳定性的场合。IMN10T-110 采用 SOT-23 封装，适合表面贴装，便于在紧凑型设计中使用。
类型：P 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流 (ID)：-100mA
最大漏源电压 (VDS)：-100V
最大栅源电压 (VGS)：±20V
导通电阻 (RDS(on))：最大值 3.5Ω（在 VGS = -10V 时）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SOT-23
IMN10T-110 是一款高性能的 P 沟道 MOSFET，专为高效率和高可靠性设计。其主要特性之一是具有较低的导通电阻，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高整体系统效率。此外，该器件支持快速开关操作，使其适用于需要高频率开关的应用。由于其 P 沟道结构，IMN10T-110 在高压侧开关电路中表现优异，无需额外的电荷泵电路即可驱动栅极。该器件还具有良好的热稳定性，能够在广泛的温度范围内保持稳定性能，适用于工业和汽车电子等高温环境应用。
IMN10T-110 的 SOT-23 封装设计使其具有较小的尺寸，适合在空间受限的 PCB 设计中使用。该封装还支持表面贴装工艺，提高了制造效率和产品的一致性。此外，该器件具有较高的耐用性和较长的使用寿命，能够在频繁开关操作中保持稳定，减少维护需求。
IMN10T-110 适用于多种电子应用，尤其是在需要高可靠性和高效能的场合。常见的应用包括电源管理、电池供电设备、负载开关、电机控制、LED 驱动器以及工业自动化控制系统。此外，该器件也常用于汽车电子系统，如车门控制模块、灯光控制和车载娱乐系统中的电源开关。由于其高压特性和紧凑封装，IMN10T-110 还可用于消费类电子产品中的高压侧开关控制，例如智能家电和便携式充电设备。
Si3440CDV-T1-GE3, FDN306P, IRML2803
