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IMH23T110 发布时间 时间:2023/3/10 14:46:49 查看 阅读:450

    制造商: ROHM Semiconductor

    产品种类: 数字晶体管

    配置: Dual

    

目录

概述

    制造商: ROHM Semiconductor

    产品种类: 数字晶体管

    配置: Dual

    晶体管极性: NPN

    典型输入电阻器: 4.7 kOhms

    封装 / 箱体: SMT-6

    直流电流增益 hFE 最小值: 820

    集电极—发射极最大电压 VCEO: 20 V

    峰值直流集电极电流: 600 mA

    功率耗散: 300 mW

    封装: Reel

    电流增益带宽 fT: 150 MHz

    发射极 - 基极电压 VEBO: 12 V

    安装风格: SMD/SMT


资料

厂商
ROHM Semiconductor

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IMH23T110参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型2 个 NPN 预偏压式(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)600mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)20V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)4.7k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)820 @ 50mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)150mV @ 2.5mA,50mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 频率 - 转换150MHz
  • 功率 - 最大300mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-74,SOT-457
  • 供应商设备封装SMT6
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IMH23T110-NDIMH23T110TR