IMH23T110
时间:2023/3/10 14:46:49
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制造商: ROHM Semiconductor
产品种类: 数字晶体管
配置: Dual
概述
制造商: ROHM Semiconductor
产品种类: 数字晶体管
配置: Dual
晶体管极性: NPN
典型输入电阻器: 4.7 kOhms
封装 / 箱体: SMT-6
直流电流增益 hFE 最小值: 820
集电极—发射极最大电压 VCEO: 20 V
峰值直流集电极电流: 600 mA
功率耗散: 300 mW
封装: Reel
电流增益带宽 fT: 150 MHz
发射极 - 基极电压 VEBO: 12 V
安装风格: SMD/SMT
IMH23T110推荐供应商
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- IMH23T110
- 深圳市钜麟科技有限公司
- 6000
- ROHM
- 24+/SMT6 (SOT457) (SC74)
-
IMH23T110参数
- 标准包装3,000
- 类别分离式半导体产品
- 家庭晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 系列-
- 晶体管类型2 个 NPN 预偏压式(双)
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大)600mA
- 电压 - 集电极发射极击穿(最大)20V
- 电阻器 - 基极 (R1)(欧)4.7k
- 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)-
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)820 @ 50mA,5V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)150mV @ 2.5mA,50mA
- 电流 - 集电极截止(最大)-
- 频率 - 转换150MHz
- 功率 - 最大300mW
- 安装类型表面贴装
- 封装/外壳SC-74,SOT-457
- 供应商设备封装SMT6
- 包装带卷 (TR)
- 其它名称IMH23T110-NDIMH23T110TR