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IMH21T110 发布时间 时间:2025/12/25 11:01:10 查看 阅读:16

IMH21T110是一款由Infineon Technologies(英飞凌)推出的高性能绝缘栅双极型晶体管(IGBT),专为高效率、高功率密度的电力电子应用而设计。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降优势,适用于需要快速开关和高效能量转换的系统。IMH21T110采用先进的沟槽栅场截止(Trench-Field Stop)技术,优化了开关损耗与导通损耗之间的平衡,从而在高频工作条件下仍能保持出色的热性能和可靠性。该IGBT通常用于工业电机驱动、可再生能源系统(如太阳能逆变器)、不间断电源(UPS)以及电动汽车充电设备等关键领域。其封装形式为TO-247,具备良好的散热能力和机械稳定性,适合在严苛环境下长期运行。此外,IMH21T110具有较高的击穿电压和电流承受能力,能够在瞬态过载条件下提供一定的安全裕度,增强了系统的鲁棒性。

参数

型号:IMH21T110
  制造商:Infineon Technologies
  器件类型:IGBT
  最大集电极-发射极电压(Vces):1200 V
  最大集电极电流(Ic)@25°C:21 A
  最大集电极电流(Ic)@100°C:11 A
  最大功耗(Ptot):150 W
  工作结温范围(Tj):-40 °C 至 +150 °C
  栅极阈值电压(Vge(th)):6.0 V(典型值)
  饱和导通电压(Vce(sat))@Ic=20A, Vge=15V:1.75 V(最大值)
  开关频率:可达50 kHz以上
  输入电容(Cies):约3.8 nF
  输出电容(Coes):约1.2 nF
  反向恢复时间(trr):典型值75 ns
  封装类型:TO-247-3

特性

IMH21T110的核心特性之一是其基于英飞凌先进的Trench-Field Stop IGBT技术,这种结构通过在硅片内部形成深沟槽栅极并结合电场截止层,显著降低了电场在集电极一侧的峰值强度,从而提高了器件的耐压能力和载流子分布均匀性。这不仅使得器件可以在1200V的高压下稳定工作,还有效减少了拖尾电流,进而降低关断过程中的能量损耗。该技术还优化了载流子寿命控制,使导通压降(Vce(sat))维持在较低水平,即使在高温条件下也能保持良好的导通效率。
  另一个重要特性是其优异的开关性能。IMH21T110在高频应用中表现出较低的开关损耗,得益于其精心设计的内部寄生参数和外部匹配能力。例如,在典型的硬开关拓扑中,其开通时间和关断时间分别约为100ns和150ns,配合合适的驱动电路可进一步压缩开关过渡时间,提升整体系统效率。此外,该器件对电磁干扰(EMI)具有较强的抑制能力,有助于简化滤波电路的设计。
  热管理方面,IMH21T110采用了低热阻封装材料和优化的芯片贴装工艺,确保热量能够高效传导至散热器。其最大允许功耗高达150W,在自然对流或强制风冷条件下均可实现可靠运行。同时,宽泛的工作结温范围(-40°C至+150°C)使其适用于极端环境下的工业和户外设备。
  安全性方面,该IGBT具备一定的短路耐受能力(通常可达6μs左右),可在发生异常电流时提供短暂保护窗口,便于控制系统及时响应故障。此外,其栅极氧化层经过严格工艺控制,具有高可靠性和抗闩锁能力,避免因过压或噪声干扰导致误触发或永久损坏。

应用

IMH21T110广泛应用于多种高功率、高效率的电力转换系统中。在工业自动化领域,它常被用于通用变频器和伺服驱动器中,作为主逆变桥臂的核心开关元件,实现对交流电机的精确调速与转矩控制。由于其具备高耐压和良好的动态响应能力,特别适合驱动大功率感应电机或永磁同步电机,满足不同负载条件下的运行需求。
  在可再生能源发电系统中,尤其是光伏并网逆变器,IMH21T110凭借其低导通损耗和快速开关特性,能够在DC/AC转换过程中最大限度地减少能量损失,提高整体转换效率。其1200V的额定电压也适配于大多数组串式或微型逆变器的直流母线电压等级,支持多级拓扑结构如三电平NPC或T型变换器,以进一步降低谐波含量和EMI干扰。
  此外,该器件也被应用于不间断电源(UPS)系统中,特别是在在线式双变换UPS中承担逆变级功能,将蓄电池的直流电高效转化为纯净正弦波交流电,保障关键设备的持续供电。在此类应用中,IMH21T110的高可靠性和长寿命特性尤为重要。
  在电动汽车基础设施方面,IMH21T110可用于交流充电桩(如Type 2充电盒)或中等功率直流快充模块的辅助电源和主功率回路中,参与PFC(功率因数校正)升压级或DC/DC变换环节。其坚固的封装和宽温区适应能力,使其能在车载或户外环境中稳定运行。此外,该器件还可用于感应加热、焊接电源、电镀电源等工业电源设备中,发挥其高效率和高耐用性的优势。

替代型号

IKW25N120T2
  FGA25N120ANTD
  STGF20NC120HB

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IMH21T110参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型2 个 NPN 预偏压式(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)600mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)20V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)10k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)820 @ 50mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)150mV @ 2.5mA,50mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 频率 - 转换150MHz
  • 功率 - 最大300mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-74,SOT-457
  • 供应商设备封装SMT6
  • 包装带卷 (TR)