IMD6 T109是一种高性能的双极性晶体管,广泛应用于射频和中频放大电路。该器件具有高增益、低噪声和良好的线性度,适用于通信设备、无线模块以及其他高频电子系统中的信号放大。IMD6 T109采用TO-18封装形式,适合需要高稳定性和可靠性的应用环境。
该晶体管设计用于处理高频信号,同时提供出色的电气性能,其结构优化了射频功率放大器的设计需求。
集电极-发射极电压:35V
集电极电流:0.2A
直流电流增益(hFE):100~400
过渡频率(fT):700MHz
最大耗散功率:300mW
噪声系数:1dB
工作温度范围:-55℃至+150℃
IMD6 T109的关键特性包括:
1. 高增益,使其在低输入信号下仍能实现有效的信号放大。
2. 超低噪声性能,非常适合对信噪比要求较高的射频应用。
3. 稳定的电气性能,在宽温度范围内保持一致。
4. 高频操作能力,能够满足现代通信系统对高频段的需求。
5. 小型化封装,便于集成到紧凑型设计中。
6. 可靠性高,适合长时间运行的工业级应用。
IMD6 T109晶体管主要应用于以下领域:
1. 射频和中频放大器电路。
2. 无线通信模块中的信号增强。
3. 高频振荡器和混频器。
4. 工业控制和测试测量设备。
5. 医疗设备中的信号调理电路。
6. 广播和卫星接收系统的前端放大。
7. 移动通信基站的小信号放大。
MPSH10
2N5109
BFR96