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IMB10AT110 发布时间 时间:2025/4/29 12:38:10 查看 阅读:35

IMB10AT110 是一款高效率的 N 沣道通晶体管(NPN 晶体管),广泛应用于功率放大器、开关电路和线性稳压器等场景。
  该晶体管采用先进的制造工艺,具有较低的饱和电压和较高的电流增益,能够在高频条件下保持稳定的性能。
  此外,IMB10AT110 的设计使其在高温环境下也具备良好的耐受性,适用于工业级和消费级电子设备。

参数

集电极-发射极电压:80V
  集电极电流:15A
  功率耗散:180W
  直流电流增益(hFE):最小值 30,典型值 100
  过渡频率:4MHz
  结温范围:-55°C 至 +175°C

特性

IMB10AT110 拥有以下显著特性:
  1. 高电流承载能力,能够满足大功率应用的需求。
  2. 低饱和电压 Vce(sat),减少功耗并提升整体效率。
  3. 较高的热稳定性,适合高温工作环境。
  4. 良好的频率响应,支持高频应用场景。
  5. 封装形式通常为 TO-247 或 TO-220,便于散热和安装。
  6. 抗电磁干扰能力强,可有效降低噪声对系统的影响。

应用

IMB10AT110 主要用于以下领域:
  1. 功率放大器中的驱动级或输出级。
  2. 开关电源及 DC-DC 转换器中的开关元件。
  3. 线性稳压器的核心调整管。
  4. 各类电机驱动电路。
  5. 工业自动化设备中的控制模块。
  6. 音频功率放大器的推挽输出级。

替代型号

IMB10AT120, 2SC5250, KSP55C

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IMB10AT110参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型2 个 PNP 预偏压式(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)2.2k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)47k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)80 @ 10mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 250µA,5mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)500nA
  • 频率 - 转换250MHz
  • 功率 - 最大300mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-74,SOT-457
  • 供应商设备封装SMT6
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IMB10AT110TR