ILX182K 时间：2025/8/18 9:10:08 阅读：27

ILX182K 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效功率转换和管理的电路中。该器件采用了先进的工艺技术，具备高电流能力和低导通电阻的特点，适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和马达控制等多种应用场景。ILX182K 采用 TO-252（DPAK）封装，具备良好的热管理和电气性能。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：60A
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：60V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：10.5mΩ（最大值，VGS=10V）
　　功率耗散（PD）：160W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

特性

ILX182K 具备多项优异特性，首先是其低导通电阻（RDS(on)）特性，能够在高电流应用中显著降低导通损耗，提高整体系统的效率。其次，该器件的高电流能力使其适用于需要大功率输出的场景，例如电源转换器和马达驱动器。此外，ILX182K 的 TO-252（DPAK）封装不仅提供了良好的散热性能，还支持表面贴装工艺，便于在 PCB 设计中实现自动化生产和紧凑布局。该器件还具备较高的热稳定性，能够在极端温度环境下可靠运行，从而提升系统的整体可靠性。
　　ILX182K 的栅极驱动电压范围较宽（±20V），允许使用不同的驱动电路设计，提高了其在不同应用中的兼容性。同时，其快速开关特性有助于减少开关损耗，进一步提升系统效率。此外，该 MOSFET 内部结构设计优化了电场分布，提升了器件的抗静电能力和耐用性，适合在复杂电磁环境中使用。

应用

ILX182K 广泛应用于多种功率电子系统中，包括但不限于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、马达控制电路、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备以及汽车电子系统等。由于其高效率和高可靠性，特别适用于对功率密度和热性能有较高要求的设计。在汽车电子领域，该器件常用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）以及电池管理系统中，以确保高效稳定的功率传输。