类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：670V
　　漏极电流(Id)：70A（Tc=100℃）
　　导通电阻(Rds(on))：典型值0.078Ω
　　栅极阈值电压(Vgs(th))：2.1V~4.0V
　　工作温度范围：-55°C~175°C
　　封装类型：PG-HSOF-7

IKWH70N67PR7具备多项优异的电气和物理特性。首先，其高耐压能力达到670V，使其适用于高电压环境下的功率转换系统，确保在极端条件下仍能稳定运行。其次，该MOSFET的导通电阻Rds(on)仅为0.078Ω，显著降低了导通损耗，提高了整体能效。此外，该器件的栅极阈值电压范围为2.1V~4.0V，具备良好的栅极控制特性，适用于多种驱动电路。
　　在热性能方面，IKWH70N67PR7采用高效的散热设计，能够在高电流负载下保持较低的温升，延长器件的使用寿命。其工作温度范围为-55°C~175°C，具有良好的耐高温和低温适应能力，适用于各种恶劣的工作环境。
　　从封装角度来看，PG-HSOF-7是一种表面贴装封装，具有优良的热传导性能和紧凑的外形，适合高密度PCB布局，同时简化了散热片的安装需求。此外，该封装具备良好的机械稳定性，能够有效防止因机械应力造成的损坏。

IKWH70N67PR7广泛应用于高功率和高效率的电力电子系统中。例如，在电源供应器中，该器件可作为主开关元件，用于DC-DC转换或AC-DC整流，实现高效率的能量转换。在电机控制系统中，IKWH70N67PR7可用于驱动无刷直流电机（BLDC）或永磁同步电机（PMSM），提供精确的速度和扭矩控制。
　　此外，该MOSFET也适用于不间断电源（UPS）系统，用于实现高效的能量存储和释放。在太阳能逆变器中，IKWH70N67PR7可以作为DC-AC逆变桥中的关键开关元件，提高系统的整体效率和可靠性。同时，该器件也广泛用于工业自动化、电动汽车充电器、LED照明驱动器等应用领域。

IKW70N67CPA1 | SPA04N67C3 | TK11A67D | TK11A67X