制造商：Infineon Technologies
　　产品类型：MOSFET
　　技术系列：CoolMOS?
　　漏源电压（Vds）：670V
　　漏极电流（Id）：60A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.145Ω
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-247
　　功率耗散（Ptot）：300W
　　栅极电荷（Qg）：典型值为120nC
　　输入电容（Ciss）：典型值为1400pF
　　漏源击穿电压（BVDSS）：670V

IKWH60N67PR7 的主要特性包括高电压耐受能力和低导通电阻，这使其在高压应用中表现出色。由于采用了CoolMOS?技术，该MOSFET具有优异的开关性能，能够在高频条件下保持较低的开关损耗，从而提高整体能效。此外，该器件的热稳定性良好，可以在高工作温度下持续运行，确保了长期使用的可靠性。
　　该MOSFET的封装设计提供了良好的散热路径，有助于降低热阻，提升功率处理能力。TO-247封装形式不仅便于安装和散热管理，还广泛应用于各种工业级功率电路设计中。其栅极驱动需求较低，兼容常见的驱动电路设计，降低了外围电路的复杂度。
　　在短路和过载条件下，IKWH60N67PR7 也具备一定的耐受能力，能够在短时间内承受较高的电流和电压应力，避免因突发故障导致器件损坏。这种特性使其在电机驱动、电源转换和可再生能源系统中具有广泛的应用前景。

IKWH60N67PR7 广泛应用于多种高功率电子系统中，包括工业电源、UPS不间断电源、太阳能逆变器、电机控制和功率因数校正（PFC）电路等。其高电压和大电流处理能力使其成为电力电子转换器的理想选择，尤其是在需要高效率和高可靠性的应用场景中。
　　在工业电源领域，该MOSFET可用于直流-直流转换器、交流-直流整流器以及高频逆变器电路，提供稳定的功率输出。在太阳能逆变器中，IKWH60N67PR7 能够有效提升能量转换效率，延长系统运行时间。此外，在电机控制系统中，该器件可作为主开关元件，实现对电机的高效驱动和精确控制。
　　由于其优异的热性能和电气特性，IKWH60N67PR7 也适用于电动汽车充电设备、智能电网系统以及高功率LED照明电源等新兴领域，满足现代电力电子系统对高性能功率器件的严苛要求。

IPW60R014CFD7, SPW60R014CFD7, STF15NM60N