时间：2025/6/25 15:36:47
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IKWH50N65WR6 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的高压 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用 N 沟道增强型技术，适用于高功率开关应用。它具有出色的开关性能和低导通电阻，能够显著提高效率并降低功耗。
这款 MOSFET 的最大额定电压为 650V，持续漏极电流高达 50A，非常适合于需要高效能和高可靠性的工业及消费类电子应用。
最大漏源电压：650V
最大连续漏极电流：50A
最大栅源电压：±20V
导通电阻（典型值）：130mΩ
总栅极电荷：48nC
开关频率范围：高达 100kHz
封装类型：TO-247
IKWH50N65WR6 具有以下显著特性：
1. 高电压能力：其 650V 的额定电压使其能够在高压环境下稳定工作，例如开关电源或电机驱动。
2. 低导通电阻：仅 130mΩ 的导通电阻可有效减少导通损耗，提升整体效率。
3. 快速开关性能：由于较低的栅极电荷，使得开关速度更快，进一步降低了开关损耗。
4. 强大的电流处理能力：支持高达 50A 的连续漏极电流，适合高功率应用场景。
5. 高可靠性：经过严格的质量控制流程，确保长期使用中的稳定性和耐用性。
IKWH50N65WR6 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）：包括 AC/DC 和 DC/DC 转换器，提供高效的能量转换。
2. 电机驱动：用于工业自动化设备、家用电器中的电机控制。
3. 太阳能逆变器：在光伏系统中作为核心功率转换元件。
4. 电池充电器：用于电动汽车或储能系统的快速充电方案。
5. UPS 不间断电源：保障关键负载的持续供电。
IKW50N65E, IRFP460, STW84N65M5
