时间：2025/6/22 2:34:36
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IKWH20N65WR6 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。这款 MOSFET 具有高电压和高电流处理能力，适用于各种工业和汽车应用。其采用了 TOLL 封装形式，支持更高的功率密度，并具备良好的热性能。
该器件主要设计用于要求低导通损耗和快速开关的应用场景，例如 DC-DC 转换器、逆变器、电机驱动以及开关电源等。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：20A
导通电阻：180mΩ（典型值，在 VGS=10V 时）
栅极电荷：49nC（典型值）
反向恢复时间：73ns（典型值）
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TOLL
IKWH20N65WR6 具有以下显著特性：
1. 高击穿电压（650V），确保在高压环境下的稳定运行。
2. 较低的导通电阻（180mΩ），减少导通损耗并提升效率。
3. 快速开关性能，适合高频应用。
4. TOLL 封装提供出色的散热性能和紧凑的设计，便于 PCB 布局优化。
5. 符合 AEC-Q101 标准，适合汽车级应用。
6. 强大的雪崩能力和短路耐受能力，增强了系统可靠性。
7. 工作温度范围宽广（-55℃ 至 +175℃），适应多种恶劣环境。
IKWH20N65WR6 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换。
2. 电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中的电机驱动和车载充电器。
3. 工业设备中的逆变器和变频器。
4. 太阳能逆变器和储能系统。
5. 高压 DC-DC 转换器。
6. 各类需要高电压、高效率功率开关的应用场景。
IKH20N65E6, IRGB20D65KD, FDP20N65B
