IKW75N65ES5 时间：2025/5/8 17:05:31 阅读：11

IKW75N65ES5是英飞凌（Infineon）推出的增强型N沟道功率MOSFET，采用TRENCHSTOP?技术制造。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于高频开关应用和高效能功率转换场景。其封装形式为TO-247-3，适合大功率场合下的散热需求。
　　该MOSFET的最大漏源电压为650V，能够承受较高的反向电压，非常适合用于工业电源、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动以及各类开关模式电源（SMPS）。

参数

最大漏源电压：650V
　　连续漏极电流：75A
　　导通电阻（典型值）：80mΩ
　　栅极电荷（Qg）：95nC
　　输入电容（Ciss）：3050pF
　　总功耗：315W
　　工作结温范围：-55℃至+175℃
　　封装形式：TO-247-3

特性

IKW75N65ES5基于先进的TRENCHSTOP? IGBT技术平台，具备以下显著特点：
　　1. 超低导通电阻与出色的开关性能相结合，可有效降低功率损耗。
　　2. 支持高达175℃的结温操作，确保在极端条件下的可靠性和耐用性。
　　3. 快速开关能力使其非常适合高频应用环境。
　　4. 内置优化的雪崩能量性能，提升了对瞬态电压的耐受能力。
　　5. 高电流承载能力使其成为大功率应用的理想选择。
　　6. 符合RoHS标准，环保且易于集成到现代设计中。

应用

IKW75N65ES5广泛应用于多种功率转换和控制领域，包括但不限于以下方面：
　　1. 开关模式电源（SMPS）中的功率因数校正（PFC）电路。
　　2. 工业级电机驱动系统，例如伺服电机和变频器。
　　3. 太阳能光伏逆变器的核心功率转换模块。
　　4. 不间断电源（UPS）设备中的DC-AC逆变功能。
　　5. 各类大功率负载的开关控制和调节。
　　6. 能量存储系统的充放电管理电路。