时间：2025/4/29 14:09:26
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IKW75N65EL5是来自英飞凌(Infineon)的一款MOSFET功率晶体管，采用TO-247-3封装形式。该器件属于CoolMOS系列，是一种增强型N沟道MOSFET，适用于高电压和高效率的开关应用。它在设计上结合了低导通电阻和快速开关特性，使其成为电源管理、电机驱动以及各类工业应用的理想选择。
其额定电压为650V，能够承受较高的漏源电压，并且具有出色的雪崩能力，能够在恶劣条件下稳定工作。此外，该器件还具备极低的栅极电荷(Qg)，有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。
最大漏源电压(Vds)：650V
连续漏极电流(Id)：75A
导通电阻(Rds(on))：0.049Ω
栅极电荷(Qg)：85nC
输入电容(Ciss)：1720pF
总功耗(Ptot)：335W
结温范围(Tj)：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247-3
IKW75N65EL5具有以下显著特点：
1. 高额定电压(650V)，适合高压应用场景；
2. 极低的导通电阻(0.049Ω)，可降低传导损耗；
3. 快速开关速度，得益于极小的栅极电荷(Qg=85nC)；
4. 出色的热性能和稳定性，在高温环境下表现优异；
5. 强大的雪崩能力和鲁棒性，保证在异常情况下的可靠性；
6. TO-247-3封装，便于安装与散热设计。
该MOSFET广泛应用于各种高电压、大电流场景中，包括但不限于：
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管；
2. 电机驱动电路，用于逆变器和PWM控制；
3. 工业设备中的负载切换和保护电路；
4. 太阳能逆变器及储能系统；
5. 各类电力电子转换器和电磁兼容性(EMC)滤波电路。
IKW75N65E5, IRFP260N, FGH75N65SMD
