时间：2025/5/10 10:31:33
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IKW40N65H5 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用 TRENCHSTOP? 技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种高频开关应用。其额定电压为 650V，连续漏极电流可达 40A（在特定条件下），广泛应用于工业、汽车及消费类电子产品领域。
这款 MOSFET 以其出色的效率和可靠性著称，适合用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动器以及太阳能逆变器等场景。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：40A
导通电阻（典型值）：120mΩ
栅极电荷（典型值）：78nC
开关速度：快速
封装类型：TO-247
IKW40N65H5 的主要特性包括：
1. 高耐压能力：650V 的漏源电压使其能够承受较高的瞬态电压，适用于高压环境。
2. 低导通电阻：在典型工作条件下，其导通电阻仅为 120mΩ，从而减少了传导损耗，提高了整体效率。
3. 快速开关性能：低栅极电荷设计确保了快速的开关速度，降低了开关损耗。
4. 热稳定性：具备良好的热性能，可长时间稳定运行在高温环境中。
5. 高可靠性：通过多种质量测试，确保在恶劣条件下的长期使用。
6. 符合 RoHS 标准：环保无铅设计，满足国际环保法规要求。
IKW40N65H5 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：如适配器、充电器等，提供高效的电力转换。
2. DC-DC 转换器：用于电动汽车、通信设备等领域中的电压调节。
3. 太阳能逆变器：实现光伏系统的高效能量转换。
4. 电机驱动器：控制各类工业及家用电机的运行。
5. UPS 系统：保障关键设备的持续供电。
6. PFC（功率因数校正）电路：提高用电设备的功率因数，减少谐波污染。
IKW40N65E5, IRFP460, STW120N65DM2
