时间：2025/5/21 11:20:59
阅读：18
IKW40N65ET7 是英飞凌（Infineon）推出的一款高压功率 MOSFET，采用 N 沟道增强型技术。该器件设计用于高效率开关应用，具有低导通电阻和快速开关特性，适合工业、汽车及消费类电子中的电源转换和电机驱动等场景。
这款 MOSFET 的最大额定电压为 650V，能够承受较高的漏源电压，同时具备出色的热性能和可靠性，广泛应用于 SMPS（开关模式电源）、逆变器、DC-DC 转换器以及电动工具等领域。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：40A
导通电阻：180mΩ
栅极电荷：28nC
开关速度：快速
封装形式：TO-247
IKW40N65ET7 具有以下主要特性：
1. 高耐压能力：支持高达 650V 的漏源电压，适用于高电压应用场景。
2. 低导通电阻：在典型工作条件下，导通电阻仅为 180mΩ，有助于降低传导损耗。
3. 快速开关性能：通过优化的栅极电荷设计，实现了更快的开关速度，减少开关损耗。
4. 强大的电流处理能力：连续漏极电流可达 40A，确保在高负载条件下稳定运行。
5. 热性能优越：采用 TO-247 封装，提供良好的散热路径，提升整体可靠性。
6. 高可靠性：符合 AEC-Q101 标准（适用于汽车级版本），能够在严苛环境下长期使用。
IKW40N65ET7 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. 逆变器
3. DC-DC 转换器
4. 电机驱动
5. 电动工具
6. 工业设备中的电源管理
7. 太阳能微逆变器
其高电压、大电流和快速开关特性使其成为上述应用的理想选择。
IKW40N65E, IRFP460, FQA40N65S
